itthon / Termékek / Diszkrét félvezető termékek / Tranzisztorok - Bipoláris (BJT) - Single, Pre-Bias / RN1112ACT(TPL3)
Gyártási szám | RN1112ACT(TPL3) |
---|---|
Jövőbeni cikkszám | FT-RN1112ACT(TPL3) |
SPQ / MOQ | lépjen kapcsolatba velünk |
Csomagoló anyag | Reel/Tray/Tube/Others |
sorozat | - |
RN1112ACT(TPL3) Állapot (életciklus) | Raktáron |
Részállapot | Active |
Tranzisztor típus | NPN - Pre-Biased |
Aktuális - gyűjtő (Ic) (max.) | 80mA |
Feszültség - Kollektor-kibocsátó bontás (max.) | 50V |
Ellenállás - alap (R1) | 22 kOhms |
Ellenállás - Emitter Base (R2) | - |
DC áramerősség (hFE) (min) @ Ic, Vce | 120 @ 1mA, 5V |
Vce telítettség (Max) @ Ib, Ic | 150mV @ 250µA, 5mA |
Aktuális - Kollektor-levágás (max.) | 100nA (ICBO) |
Frekvencia - Átmenet | - |
Teljesítmény - Max | 100mW |
Szerelési típus | Surface Mount |
Csomag / eset | SC-101, SOT-883 |
Beszállítói eszközcsomag | CST3 |
Származási ország | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RN1112ACT(TPL3) Súly | lépjen kapcsolatba velünk |
Pótalkatrész száma | RN1112ACT(TPL3)-FT |
RN2421(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN1104,LF(CT
Toshiba Semiconductor and Storage
RN1107,LF(CT
Toshiba Semiconductor and Storage
RN1102,LF(CT
Toshiba Semiconductor and Storage
RN1106,LF(CT
Toshiba Semiconductor and Storage
RN1113(T5L,F,T)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN2101,LF(CT
Toshiba Semiconductor and Storage
RN2112,LF(CT
Toshiba Semiconductor and Storage
RN1101,LF(CT
Toshiba Semiconductor and Storage
RN1103,LF(CT
Toshiba Semiconductor and Storage
XC5206-6PQ100C
Xilinx Inc.
XC3SD3400A-5FGG676C
Xilinx Inc.
M2GL025-1VFG256I
Microsemi Corporation
A42MX09-3VQ100I
Microsemi Corporation
EP2C70F672C8N
Intel
10CX150YF672I6G
Intel
XC2VP30-5FFG1152I
Xilinx Inc.
LCMXO2-4000HC-4BG332I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-70E-6FN484I
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K130EQC240-2X
Intel