itthon / Termékek / Diszkrét félvezető termékek / Tranzisztorok - Bipoláris (BJT) - Single, Pre-Bias / DTC123EMT2L
Gyártási szám | DTC123EMT2L |
---|---|
Jövőbeni cikkszám | FT-DTC123EMT2L |
SPQ / MOQ | lépjen kapcsolatba velünk |
Csomagoló anyag | Reel/Tray/Tube/Others |
sorozat | - |
DTC123EMT2L Állapot (életciklus) | Raktáron |
Részállapot | Active |
Tranzisztor típus | NPN - Pre-Biased |
Aktuális - gyűjtő (Ic) (max.) | 100mA |
Feszültség - Kollektor-kibocsátó bontás (max.) | 50V |
Ellenállás - alap (R1) | 2.2 kOhms |
Ellenállás - Emitter Base (R2) | 2.2 kOhms |
DC áramerősség (hFE) (min) @ Ic, Vce | 20 @ 20mA, 5V |
Vce telítettség (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 10mA |
Aktuális - Kollektor-levágás (max.) | 500nA |
Frekvencia - Átmenet | 250MHz |
Teljesítmény - Max | 150mW |
Szerelési típus | Surface Mount |
Csomag / eset | SOT-723 |
Beszállítói eszközcsomag | VMT3 |
Származási ország | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DTC123EMT2L Súly | lépjen kapcsolatba velünk |
Pótalkatrész száma | DTC123EMT2L-FT |
RN1110CT(TPL3)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN1111ACT(TPL3)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN1111CT(TPL3)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN1112ACT(TPL3)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN1112CT(TPL3)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN1113ACT(TPL3)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN1113CT(TPL3)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN2101ACT(TPL3)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN2101CT(TPL3)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN2102ACT(TPL3)
Toshiba Semiconductor and Storage
LFXP3E-5T100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S500E-4FG320I
Xilinx Inc.
XA3S1200E-4FTG256Q
Xilinx Inc.
XCVU065-1FFVC1517I
Xilinx Inc.
A3PE600-2FGG484
Microsemi Corporation
LFE5UM5G-45F-8BG381C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S20B672C6
Intel
5SGXEA9N2F45I2L
Intel
A40MX04-1PLG84I
Microsemi Corporation
LFXP2-17E-5FT256C
Lattice Semiconductor Corporation