itthon / Termékek / Diszkrét félvezető termékek / Tranzisztorok - Bipoláris (BJT) - Single, Pre-Bias / DTC114YMFHAT2L
Gyártási szám | DTC114YMFHAT2L |
---|---|
Jövőbeni cikkszám | FT-DTC114YMFHAT2L |
SPQ / MOQ | lépjen kapcsolatba velünk |
Csomagoló anyag | Reel/Tray/Tube/Others |
sorozat | Automotive, AEC-Q101 |
DTC114YMFHAT2L Állapot (életciklus) | Raktáron |
Részállapot | Active |
Tranzisztor típus | NPN - Pre-Biased + Diode |
Aktuális - gyűjtő (Ic) (max.) | 100mA |
Feszültség - Kollektor-kibocsátó bontás (max.) | - |
Ellenállás - alap (R1) | 10 kOhms |
Ellenállás - Emitter Base (R2) | 47 kOhms |
DC áramerősség (hFE) (min) @ Ic, Vce | 68 @ 5mA, 5V |
Vce telítettség (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 250µA, 5mA |
Aktuális - Kollektor-levágás (max.) | - |
Frekvencia - Átmenet | 250MHz |
Teljesítmény - Max | 150mW |
Szerelési típus | Surface Mount |
Csomag / eset | SOT-723 |
Beszállítói eszközcsomag | VMT3 |
Származási ország | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DTC114YMFHAT2L Súly | lépjen kapcsolatba velünk |
Pótalkatrész száma | DTC114YMFHAT2L-FT |
RN1109ACT(TPL3)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN1109CT(TPL3)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN1110ACT(TPL3)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN1110CT(TPL3)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN1111ACT(TPL3)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN1111CT(TPL3)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN1112ACT(TPL3)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN1112CT(TPL3)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN1113ACT(TPL3)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN1113CT(TPL3)
Toshiba Semiconductor and Storage
XC7A35T-2CSG325I
Xilinx Inc.
10CX150YF672E6G
Intel
5SGSMD5H2F35I3LN
Intel
5SGXMA3K3F35I3N
Intel
5SGXMA4K3F35I3
Intel
XC2V4000-5FF1152I
Xilinx Inc.
LFE3-17EA-8LMG328I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-20E-5F484C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HE-4BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX260FF35I5G
Intel