itthon / Termékek / Diszkrét félvezető termékek / Tranzisztorok - FET-ek, MOSFET-ek - Egyetlen / AUIRF1018ES
Gyártási szám | AUIRF1018ES |
---|---|
Jövőbeni cikkszám | FT-AUIRF1018ES |
SPQ / MOQ | lépjen kapcsolatba velünk |
Csomagoló anyag | Reel/Tray/Tube/Others |
sorozat | HEXFET® |
AUIRF1018ES Állapot (életciklus) | Raktáron |
Részállapot | Discontinued at Future Semiconductor |
FET típus | N-Channel |
Technológia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
Aktuális - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C | 79A (Tc) |
A meghajtó feszültsége (max. RDS bekapcsolva, min. Rds bekapcsolva) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8.4 mOhm @ 47A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 100µA |
Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs | 69nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds | 2290pF @ 50V |
FET funkció | - |
Teljesítmény-disszipáció (max.) | 110W (Tc) |
Üzemi hőmérséklet | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Szerelési típus | Surface Mount |
Beszállítói eszközcsomag | D2PAK |
Csomag / eset | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Származási ország | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AUIRF1018ES Súly | lépjen kapcsolatba velünk |
Pótalkatrész száma | AUIRF1018ES-FT |
IPB100N04S303ATMA1
Infineon Technologies
IPB100N06S205ATMA4
Infineon Technologies
IPB120N04S401ATMA1
Infineon Technologies
IPB123N10N3GATMA1
Infineon Technologies
IPB320N20N3GATMA1
Infineon Technologies
IPB60R099C6ATMA1
Infineon Technologies
IPB60R125C6ATMA1
Infineon Technologies
IPB60R165CPATMA1
Infineon Technologies
IPB65R065C7ATMA2
Infineon Technologies
IPB70N10S312ATMA1
Infineon Technologies
A3PN015-1QNG68I
Microsemi Corporation
A1415A-PQ100I
Microsemi Corporation
M2GL025S-1VF400I
Microsemi Corporation
A10V20B-PL68C
Microsemi Corporation
EP4S100G3F45I3N
Intel
XC4028XL-09HQ208C
Xilinx Inc.
XC2VP2-6FFG672C
Xilinx Inc.
LCMXO640E-3MN100C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE80F780C4
Intel
EPF10K30AQC208-1N
Intel