itthon / Termékek / Diszkrét félvezető termékek / Tranzisztorok - FET-ek, MOSFET-ek - Egyetlen / IPB70N10S312ATMA1
Gyártási szám | IPB70N10S312ATMA1 |
---|---|
Jövőbeni cikkszám | FT-IPB70N10S312ATMA1 |
SPQ / MOQ | lépjen kapcsolatba velünk |
Csomagoló anyag | Reel/Tray/Tube/Others |
sorozat | OptiMOS™ |
IPB70N10S312ATMA1 Állapot (életciklus) | Raktáron |
Részállapot | Active |
FET típus | N-Channel |
Technológia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
Aktuális - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C | 70A (Tc) |
A meghajtó feszültsége (max. RDS bekapcsolva, min. Rds bekapcsolva) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 11.3 mOhm @ 70A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 83µA |
Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs | 66nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds | 4355pF @ 25V |
FET funkció | - |
Teljesítmény-disszipáció (max.) | 125W (Tc) |
Üzemi hőmérséklet | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Szerelési típus | Surface Mount |
Beszállítói eszközcsomag | PG-TO263-3-2 |
Csomag / eset | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Származási ország | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPB70N10S312ATMA1 Súly | lépjen kapcsolatba velünk |
Pótalkatrész száma | IPB70N10S312ATMA1-FT |
IXTA88N085T7
IXYS
IXTA98N075T7
IXYS
NP160N04TUG-E1-AY
Renesas Electronics America
NP160N055TUK-E1-AY
Renesas Electronics America
NP180N04TUJ-E1-AY
Renesas Electronics America
NP180N04TUK-E1-AY
Renesas Electronics America
NP180N055TUJ-E1-AY
Renesas Electronics America
NP180N055TUK-E1-AY
Renesas Electronics America
SUM70040M-GE3
Vishay Siliconix
IRLZ34NSTRLPBF
Infineon Technologies
XCV200-5FG256I
Xilinx Inc.
APA150-FGG256
Microsemi Corporation
M7A3P1000-FGG256I
Microsemi Corporation
A40MX04-1PL68
Microsemi Corporation
EP1M350F780C6
Intel
LCMXO2-2000HE-6FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP2-40E-6FN484I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066H1F34I1SG
Intel
EP1C6Q240C7N
Intel
EP1K100QC208-1GZ
Intel