itthon / Termékek / Diszkrét félvezető termékek / Tranzisztorok - IGBT - modulok / APTGT20H60T1G
Gyártási szám | APTGT20H60T1G |
---|---|
Jövőbeni cikkszám | FT-APTGT20H60T1G |
SPQ / MOQ | lépjen kapcsolatba velünk |
Csomagoló anyag | Reel/Tray/Tube/Others |
sorozat | - |
APTGT20H60T1G Állapot (életciklus) | Raktáron |
Részállapot | Active |
IGBT típus | Trench Field Stop |
Configuration | Full Bridge Inverter |
Feszültség - Kollektor-kibocsátó bontás (max.) | 600V |
Aktuális - gyűjtő (Ic) (max.) | 32A |
Teljesítmény - Max | 62W |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 1.9V @ 15V, 20A |
Aktuális - Kollektor-levágás (max.) | 250µA |
Bemeneti kapacitás (Cies) @ Vce | 1.1nF @ 25V |
Bemenet | Standard |
NTC termisztor | Yes |
Üzemi hőmérséklet | -40°C ~ 175°C (TJ) |
Szerelési típus | Chassis Mount |
Csomag / eset | SP1 |
Beszállítói eszközcsomag | SP1 |
Származási ország | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
APTGT20H60T1G Súly | lépjen kapcsolatba velünk |
Pótalkatrész száma | APTGT20H60T1G-FT |
VS-GB100TH120N
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-GB100TH120U
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-GB150LH120N
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-GB150TH120N
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-GB150TH120U
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-GB200LH120N
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-GB200NH120N
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-GB200TH120N
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-GB200TH120U
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-GB300AH120N
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC2V1000-6FGG256C
Xilinx Inc.
XC2V4000-4FF1517I
Xilinx Inc.
M1A3PE1500-2PQ208
Microsemi Corporation
10CL080YF484C6G
Intel
10M04DCF256C8G
Intel
5SGXMA9N3F45I3N
Intel
5SGXEA4H2F35I2N
Intel
XC2VP50-5FFG1152I
Xilinx Inc.
A42MX16-PQG100
Microsemi Corporation
LFE2-35E-5F484C
Lattice Semiconductor Corporation