itthon / Termékek / Diszkrét félvezető termékek / Tranzisztorok - IGBT - modulok / APTGT20H60T1G
Gyártási szám | APTGT20H60T1G |
---|---|
Jövőbeni cikkszám | FT-APTGT20H60T1G |
SPQ / MOQ | lépjen kapcsolatba velünk |
Csomagoló anyag | Reel/Tray/Tube/Others |
sorozat | - |
APTGT20H60T1G Állapot (életciklus) | Raktáron |
Részállapot | Active |
IGBT típus | Trench Field Stop |
Configuration | Full Bridge Inverter |
Feszültség - Kollektor-kibocsátó bontás (max.) | 600V |
Aktuális - gyűjtő (Ic) (max.) | 32A |
Teljesítmény - Max | 62W |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 1.9V @ 15V, 20A |
Aktuális - Kollektor-levágás (max.) | 250µA |
Bemeneti kapacitás (Cies) @ Vce | 1.1nF @ 25V |
Bemenet | Standard |
NTC termisztor | Yes |
Üzemi hőmérséklet | -40°C ~ 175°C (TJ) |
Szerelési típus | Chassis Mount |
Csomag / eset | SP1 |
Beszállítói eszközcsomag | SP1 |
Származási ország | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
APTGT20H60T1G Súly | lépjen kapcsolatba velünk |
Pótalkatrész száma | APTGT20H60T1G-FT |
VS-GB100TH120N
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-GB100TH120U
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-GB150LH120N
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-GB150TH120N
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-GB150TH120U
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-GB200LH120N
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-GB200NH120N
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-GB200TH120N
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-GB200TH120U
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-GB300AH120N
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC4005E-3PQ100I
Xilinx Inc.
XC2V250-6FGG456C
Xilinx Inc.
AGLN250V2-ZCSG81
Microsemi Corporation
M1A3PE3000-PQG208I
Microsemi Corporation
10AX016C4U19E3LG
Intel
10M50DAF484I6G
Intel
EP4CE22F17C8
Intel
LCMXO640E-3BN256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX190EF29I5G
Intel
EP4SGX110FF35C4
Intel