itthon / Termékek / Diszkrét félvezető termékek / Tranzisztorok - IGBT - modulok / VS-GB200LH120N
Gyártási szám | VS-GB200LH120N |
---|---|
Jövőbeni cikkszám | FT-VS-GB200LH120N |
SPQ / MOQ | lépjen kapcsolatba velünk |
Csomagoló anyag | Reel/Tray/Tube/Others |
sorozat | - |
VS-GB200LH120N Állapot (életciklus) | Raktáron |
Részállapot | Active |
IGBT típus | - |
Configuration | Single |
Feszültség - Kollektor-kibocsátó bontás (max.) | 1200V |
Aktuális - gyűjtő (Ic) (max.) | 370A |
Teljesítmény - Max | 1562W |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.07V @ 15V, 200A (Typ) |
Aktuális - Kollektor-levágás (max.) | 100nA |
Bemeneti kapacitás (Cies) @ Vce | 18nF @ 25V |
Bemenet | Standard |
NTC termisztor | No |
Üzemi hőmérséklet | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Szerelési típus | Chassis Mount |
Csomag / eset | Double INT-A-PAK (3 + 4) |
Beszállítói eszközcsomag | Double INT-A-PAK |
Származási ország | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VS-GB200LH120N Súly | lépjen kapcsolatba velünk |
Pótalkatrész száma | VS-GB200LH120N-FT |
FP50R12KT4B16BOSA1
Infineon Technologies
FP50R12KT4GB15BOSA1
Infineon Technologies
FP50R12KT4PBPSA1
Infineon Technologies
FP50R12N2T4B16BOSA1
Infineon Technologies
FP75R06KE3BOSA1
Infineon Technologies
FP75R07N2E4BOSA1
Infineon Technologies
FP75R12KT4B16BOSA1
Infineon Technologies
FP75R12N2T4B11BPSA1
Infineon Technologies
FP75R12N2T4B16BOSA1
Infineon Technologies
FP75R12N2T4BOSA1
Infineon Technologies
XC6SLX9-2FTG256C
Xilinx Inc.
M1A3P250-VQ100
Microsemi Corporation
10AX022E4F27E3LG
Intel
XC2VP30-6FFG896I
Xilinx Inc.
XC7A100T-L1CSG324I
Xilinx Inc.
XA7A15T-1CPG236Q
Xilinx Inc.
A42MX09-2PQ100I
Microsemi Corporation
LFEC3E-3QN208C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXFA5H4F35I3N
Intel
10AX016E4F27E3SG
Intel