itthon / Termékek / Diszkrét félvezető termékek / Tranzisztorok - FET-ek, MOSFET-ek - Egyetlen / VP3203N3-G
Gyártási szám | VP3203N3-G |
---|---|
Jövőbeni cikkszám | FT-VP3203N3-G |
SPQ / MOQ | lépjen kapcsolatba velünk |
Csomagoló anyag | Reel/Tray/Tube/Others |
sorozat | - |
VP3203N3-G Állapot (életciklus) | Raktáron |
Részállapot | Active |
FET típus | P-Channel |
Technológia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Aktuális - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C | 650mA (Tj) |
A meghajtó feszültsége (max. RDS bekapcsolva, min. Rds bekapcsolva) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 600 mOhm @ 3A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 10mA |
Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs | - |
Vgs (Max) | ±20V |
Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds | 300pF @ 25V |
FET funkció | - |
Teljesítmény-disszipáció (max.) | 740mW (Ta) |
Üzemi hőmérséklet | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Szerelési típus | Through Hole |
Beszállítói eszközcsomag | TO-92-3 |
Csomag / eset | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
Származási ország | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VP3203N3-G Súly | lépjen kapcsolatba velünk |
Pótalkatrész száma | VP3203N3-G-FT |
IRF5804TR
Infineon Technologies
IRF5804TRPBF
Infineon Technologies
IRF5805
Infineon Technologies
IRF5805TR
Infineon Technologies
IRF5805TRPBF
Infineon Technologies
IRF5806
Infineon Technologies
IRF5806TRPBF
Infineon Technologies
SI3443DVTRPBF
Infineon Technologies
SI3493DDV-T1-GE3
Vishay Siliconix
TPC6006-H(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
A3PE600-1PQG208I
Microsemi Corporation
AT6002-4AC
Microchip Technology
5SGSED8K3F40I4N
Intel
5SGXEB5R1F40I2N
Intel
5SGXMA3K3F40C2N
Intel
EP3SE260F1517C2N
Intel
LFE2-20SE-5FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-70EA-8LFN672I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115U2F45I2SGE2
Intel
5CGXFC9E7F35C8N
Intel