itthon / Termékek / Diszkrét félvezető termékek / Tranzisztorok - FET-ek, MOSFET-ek - Egyetlen / VN0109N3-G
Gyártási szám | VN0109N3-G |
---|---|
Jövőbeni cikkszám | FT-VN0109N3-G |
SPQ / MOQ | lépjen kapcsolatba velünk |
Csomagoló anyag | Reel/Tray/Tube/Others |
sorozat | - |
VN0109N3-G Állapot (életciklus) | Raktáron |
Részállapot | Active |
FET típus | N-Channel |
Technológia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 90V |
Aktuális - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C | 350mA (Tj) |
A meghajtó feszültsége (max. RDS bekapcsolva, min. Rds bekapcsolva) | 5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3 Ohm @ 1A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.4V @ 1mA |
Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs | - |
Vgs (Max) | ±20V |
Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds | 65pF @ 25V |
FET funkció | - |
Teljesítmény-disszipáció (max.) | 1W (Tc) |
Üzemi hőmérséklet | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Szerelési típus | Through Hole |
Beszállítói eszközcsomag | TO-92-3 |
Csomag / eset | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
Származási ország | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VN0109N3-G Súly | lépjen kapcsolatba velünk |
Pótalkatrész száma | VN0109N3-G-FT |
DMP6110SVTQ-7
Diodes Incorporated
SQ3426EV-T1_GE3
Vishay Siliconix
IRF5802TRPBF
Infineon Technologies
IRF5803TRPBF
Infineon Technologies
SQ3425EV-T1_GE3
Vishay Siliconix
DMN2028UVT-13
Diodes Incorporated
DMP2035UVTQ-13
Diodes Incorporated
DMP6110SVT-13
Diodes Incorporated
DMP6110SVTQ-13
Diodes Incorporated
CPH6341-TL-W
ON Semiconductor
A3P1000L-FG484
Microsemi Corporation
M1A3P600L-FGG484
Microsemi Corporation
A54SX32A-CQ256B
Microsemi Corporation
5SEEBF45C3N
Intel
5SGXEABN2F45I2N
Intel
XC6SLX45-N3CSG324C
Xilinx Inc.
XC6SLX45T-N3CSG324C
Xilinx Inc.
LFE2M20SE-7F484C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090N4F40I3LG
Intel
EP2C20Q240C8N
Intel