itthon / Termékek / Diszkrét félvezető termékek / Tranzisztorok - Bipoláris (BJT) - Arrays / ULN2003ADR2G
Gyártási szám | ULN2003ADR2G |
---|---|
Jövőbeni cikkszám | FT-ULN2003ADR2G |
SPQ / MOQ | lépjen kapcsolatba velünk |
Csomagoló anyag | Reel/Tray/Tube/Others |
sorozat | - |
ULN2003ADR2G Állapot (életciklus) | Raktáron |
Részállapot | Active |
Tranzisztor típus | 7 NPN Darlington |
Aktuális - gyűjtő (Ic) (max.) | 500mA |
Feszültség - Kollektor-kibocsátó bontás (max.) | 50V |
Vce telítettség (Max) @ Ib, Ic | 1.6V @ 500µA, 350mA |
Aktuális - Kollektor-levágás (max.) | 50µA |
DC áramerősség (hFE) (min) @ Ic, Vce | 1000 @ 350mA, 2V |
Teljesítmény - Max | - |
Frekvencia - Átmenet | - |
Üzemi hőmérséklet | -20°C ~ 85°C (TA) |
Szerelési típus | Surface Mount |
Csomag / eset | 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Beszállítói eszközcsomag | 16-SOIC |
Származási ország | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ULN2003ADR2G Súly | lépjen kapcsolatba velünk |
Pótalkatrész száma | ULN2003ADR2G-FT |
BC846UE6327HTSA1
Infineon Technologies
BC846UPNE6327HTSA1
Infineon Technologies
BC856UE6327HTSA1
Infineon Technologies
HN1A01F-GR(TE85L,F
Toshiba Semiconductor and Storage
HN1B01F-GR(TE85L,F
Toshiba Semiconductor and Storage
HN1B01FDW1T1
ON Semiconductor
HN1B04F(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
IMT17T110
Rohm Semiconductor
IMT17T208
Rohm Semiconductor
IMT1AT108
Rohm Semiconductor
XC3S100E-5VQG100C
Xilinx Inc.
XA3S200-4PQG208I
Xilinx Inc.
A42MX36-3PQG240I
Microsemi Corporation
EPF10K250EBI600-3
Intel
10AX027H2F34E2SG
Intel
5AGXMA1D4F27C5N
Intel
5SGXMA7H3F35I3LN
Intel
LFE2-50E-5FN484I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-640HC-6MG132I
Lattice Semiconductor Corporation
EPF81188ARC240-4AA
Intel