itthon / Termékek / Diszkrét félvezető termékek / Tranzisztorok - FET-ek, MOSFET-ek - Egyetlen / TSM60NB190CI C0G
Gyártási szám | TSM60NB190CI C0G |
---|---|
Jövőbeni cikkszám | FT-TSM60NB190CI C0G |
SPQ / MOQ | lépjen kapcsolatba velünk |
Csomagoló anyag | Reel/Tray/Tube/Others |
sorozat | - |
TSM60NB190CI C0G Állapot (életciklus) | Raktáron |
Részállapot | Active |
FET típus | N-Channel |
Technológia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
Aktuális - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C | 18A (Tc) |
A meghajtó feszültsége (max. RDS bekapcsolva, min. Rds bekapcsolva) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 190 mOhm @ 6A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs | 31nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±30V |
Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds | 1273pF @ 100V |
FET funkció | - |
Teljesítmény-disszipáció (max.) | 33.8W (Tc) |
Üzemi hőmérséklet | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Szerelési típus | Through Hole |
Beszállítói eszközcsomag | ITO-220AB |
Csomag / eset | TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab |
Származási ország | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
TSM60NB190CI C0G Súly | lépjen kapcsolatba velünk |
Pótalkatrész száma | TSM60NB190CI C0G-FT |
SSM6J511NU,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
SSM6J501NU,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
SSM6J502NU,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
SSM6J503NU,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
SSM6J505NU,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
SSM6J507NU,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
SSM6K504NU,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
SSM6K513NU,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
IRLD120PBF
Vishay Siliconix
IRFD110PBF
Vishay Siliconix
XCV1000E-8FG900C
Xilinx Inc.
LCMXO640C-4FTN256I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3L-9400C-5BG484I
Lattice Semiconductor Corporation
M1AGL250V2-VQ100
Microsemi Corporation
M1AGL250V5-VQG100
Microsemi Corporation
EP2S60F484C5
Intel
5SGXMA7K3F40C3
Intel
XC4020E-2HQ208I
Xilinx Inc.
5AGXMA7G4F35I5N
Intel
EPF8820QC160-4
Intel