itthon / Termékek / Diszkrét félvezető termékek / Tranzisztorok - FET-ek, MOSFET-ek - Egyetlen / TSM60NB099PW C1G
Gyártási szám | TSM60NB099PW C1G |
---|---|
Jövőbeni cikkszám | FT-TSM60NB099PW C1G |
SPQ / MOQ | lépjen kapcsolatba velünk |
Csomagoló anyag | Reel/Tray/Tube/Others |
sorozat | - |
TSM60NB099PW C1G Állapot (életciklus) | Raktáron |
Részállapot | Active |
FET típus | N-Channel |
Technológia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
Aktuális - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C | 38A (Tc) |
A meghajtó feszültsége (max. RDS bekapcsolva, min. Rds bekapcsolva) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 99 mOhm @ 11.7A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs | 62nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±30V |
Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds | 2587pF @ 100V |
FET funkció | - |
Teljesítmény-disszipáció (max.) | 329W (Tc) |
Üzemi hőmérséklet | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Szerelési típus | Through Hole |
Beszállítói eszközcsomag | TO-247 |
Csomag / eset | TO-247-3 |
Származási ország | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
TSM60NB099PW C1G Súly | lépjen kapcsolatba velünk |
Pótalkatrész száma | TSM60NB099PW C1G-FT |
DMP6110SSSQ-13
Diodes Incorporated
DMPH4015SSS-13
Diodes Incorporated
DMPH4015SSSQ-13
Diodes Incorporated
DMS3014SSS-13
Diodes Incorporated
DMS3015SSS-13
Diodes Incorporated
DMT10H010LSS-13
Diodes Incorporated
DMT10H015LSS-13
Diodes Incorporated
DMT6009LSS-13
Diodes Incorporated
DMT68M8LSS-13
Diodes Incorporated
DMT8012LSS-13
Diodes Incorporated
A1020B-VQG80I
Microsemi Corporation
XC6VLX75T-L1FFG484I
Xilinx Inc.
APA1000-BG456M
Microsemi Corporation
AGLN125V2-VQ100I
Microsemi Corporation
EP4CE75F23C8L
Intel
XC5VLX50-3FF676C
Xilinx Inc.
AGL060V2-CS121
Microsemi Corporation
EP20K400ERC240-1
Intel
EPF10K10QI208-4
Intel
EPF10K30AQC208-3N
Intel