itthon / Termékek / Diszkrét félvezető termékek / Tranzisztorok - FET-ek, MOSFET-ek - Egyetlen / TSM60N380CZ C0G
Gyártási szám | TSM60N380CZ C0G |
---|---|
Jövőbeni cikkszám | FT-TSM60N380CZ C0G |
SPQ / MOQ | lépjen kapcsolatba velünk |
Csomagoló anyag | Reel/Tray/Tube/Others |
sorozat | - |
TSM60N380CZ C0G Állapot (életciklus) | Raktáron |
Részállapot | Not For New Designs |
FET típus | N-Channel |
Technológia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
Aktuális - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C | 11A (Tc) |
A meghajtó feszültsége (max. RDS bekapcsolva, min. Rds bekapcsolva) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 380 mOhm @ 5.5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs | 20.5nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±30V |
Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds | 1040pF @ 100V |
FET funkció | - |
Teljesítmény-disszipáció (max.) | 125W (Tc) |
Üzemi hőmérséklet | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Szerelési típus | Through Hole |
Beszállítói eszközcsomag | TO-220 |
Csomag / eset | TO-220-3 |
Származási ország | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
TSM60N380CZ C0G Súly | lépjen kapcsolatba velünk |
Pótalkatrész száma | TSM60N380CZ C0G-FT |
IRLD110
Vishay Siliconix
IRLD120
Vishay Siliconix
TSM60NB1R4CH C5G
Taiwan Semiconductor Corporation
TSM4NB65CH C5G
Taiwan Semiconductor Corporation
TSM60NB900CH C5G
Taiwan Semiconductor Corporation
TSM60NB600CH C5G
Taiwan Semiconductor Corporation
TSM70N1R4CH C5G
Taiwan Semiconductor Corporation
TSM70N900CH C5G
Taiwan Semiconductor Corporation
TSM60NB380CH C5G
Taiwan Semiconductor Corporation
TSM3N80CH C5G
Taiwan Semiconductor Corporation