itthon / Termékek / Diszkrét félvezető termékek / Tranzisztorok - FET-ek, MOSFET-ek - Egyetlen / TK12A60W,S4VX
Gyártási szám | TK12A60W,S4VX |
---|---|
Jövőbeni cikkszám | FT-TK12A60W,S4VX |
SPQ / MOQ | lépjen kapcsolatba velünk |
Csomagoló anyag | Reel/Tray/Tube/Others |
sorozat | DTMOSIV |
TK12A60W,S4VX Állapot (életciklus) | Raktáron |
Részállapot | Active |
FET típus | N-Channel |
Technológia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
Aktuális - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C | 11.5A (Ta) |
A meghajtó feszültsége (max. RDS bekapcsolva, min. Rds bekapcsolva) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 300 mOhm @ 5.8A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.7V @ 600µA |
Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs | 25nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±30V |
Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds | 890pF @ 300V |
FET funkció | Super Junction |
Teljesítmény-disszipáció (max.) | 35W (Tc) |
Üzemi hőmérséklet | 150°C (TJ) |
Szerelési típus | Through Hole |
Beszállítói eszközcsomag | TO-220SIS |
Csomag / eset | TO-220-3 Full Pack |
Származási ország | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
TK12A60W,S4VX Súly | lépjen kapcsolatba velünk |
Pótalkatrész száma | TK12A60W,S4VX-FT |
TK20E60W,S1VX
Toshiba Semiconductor and Storage
TK25E60X,S1X
Toshiba Semiconductor and Storage
TK25E60X5,S1X
Toshiba Semiconductor and Storage
TK31E60W,S1VX
Toshiba Semiconductor and Storage
TK31E60X,S1X
Toshiba Semiconductor and Storage
TK35E08N1,S1X
Toshiba Semiconductor and Storage
TK42E12N1,S1X
Toshiba Semiconductor and Storage
TK46E08N1,S1X
Toshiba Semiconductor and Storage
TK56E12N1,S1X
Toshiba Semiconductor and Storage
TK72E12N1,S1X
Toshiba Semiconductor and Storage
A1020B-VQG80I
Microsemi Corporation
XC6VLX75T-L1FFG484I
Xilinx Inc.
APA1000-BG456M
Microsemi Corporation
AGLN125V2-VQ100I
Microsemi Corporation
EP4CE75F23C8L
Intel
XC5VLX50-3FF676C
Xilinx Inc.
AGL060V2-CS121
Microsemi Corporation
EP20K400ERC240-1
Intel
EPF10K10QI208-4
Intel
EPF10K30AQC208-3N
Intel