itthon / Termékek / Diszkrét félvezető termékek / Tranzisztorok - FET-ek, MOSFET-ek - Egyetlen / STH80N10F7-2
Gyártási szám | STH80N10F7-2 |
---|---|
Jövőbeni cikkszám | FT-STH80N10F7-2 |
SPQ / MOQ | lépjen kapcsolatba velünk |
Csomagoló anyag | Reel/Tray/Tube/Others |
sorozat | DeepGATE™, STripFET™ VII |
STH80N10F7-2 Állapot (életciklus) | Raktáron |
Részállapot | Active |
FET típus | N-Channel |
Technológia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
Aktuális - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C | 80A (Tc) |
A meghajtó feszültsége (max. RDS bekapcsolva, min. Rds bekapcsolva) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9.5 mOhm @ 40A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 250µA |
Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs | 45nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds | 3100pF @ 50V |
FET funkció | - |
Teljesítmény-disszipáció (max.) | 110W (Tc) |
Üzemi hőmérséklet | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Szerelési típus | Surface Mount |
Beszállítói eszközcsomag | H2Pak-2 |
Csomag / eset | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Származási ország | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
STH80N10F7-2 Súly | lépjen kapcsolatba velünk |
Pótalkatrész száma | STH80N10F7-2-FT |
TSM070NB04LCR RLG
Taiwan Semiconductor Corporation
TSM080N03EPQ56 RLG
Taiwan Semiconductor Corporation
TSM080N03PQ56 RLG
Taiwan Semiconductor Corporation
TSM089N08LCR RLG
Taiwan Semiconductor Corporation
TSM110NB04CR RLG
Taiwan Semiconductor Corporation
TSM110NB04LCR RLG
Taiwan Semiconductor Corporation
TSM130NB06CR RLG
Taiwan Semiconductor Corporation
TSM130NB06LCR RLG
Taiwan Semiconductor Corporation
TSM150NB04CR RLG
Taiwan Semiconductor Corporation
TSM150NB04LCR RLG
Taiwan Semiconductor Corporation
A1020B-VQG80I
Microsemi Corporation
XC6VLX75T-L1FFG484I
Xilinx Inc.
APA1000-BG456M
Microsemi Corporation
AGLN125V2-VQ100I
Microsemi Corporation
EP4CE75F23C8L
Intel
XC5VLX50-3FF676C
Xilinx Inc.
AGL060V2-CS121
Microsemi Corporation
EP20K400ERC240-1
Intel
EPF10K10QI208-4
Intel
EPF10K30AQC208-3N
Intel