itthon / Termékek / Diszkrét félvezető termékek / Tranzisztorok - FET-ek, MOSFET-ek - Egyetlen / SQR50N04-3M8_GE3
Gyártási szám | SQR50N04-3M8_GE3 |
---|---|
Jövőbeni cikkszám | FT-SQR50N04-3M8_GE3 |
SPQ / MOQ | lépjen kapcsolatba velünk |
Csomagoló anyag | Reel/Tray/Tube/Others |
sorozat | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® |
SQR50N04-3M8_GE3 Állapot (életciklus) | Raktáron |
Részállapot | Active |
FET típus | N-Channel |
Technológia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 40V |
Aktuális - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C | 50A (Tc) |
A meghajtó feszültsége (max. RDS bekapcsolva, min. Rds bekapcsolva) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.8 mOhm @ 20A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 250µA |
Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs | 105nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds | 6700pF @ 25V |
FET funkció | - |
Teljesítmény-disszipáció (max.) | 136W (Tc) |
Üzemi hőmérséklet | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Szerelési típus | Through Hole |
Beszállítói eszközcsomag | D-PAK (TO-252) |
Csomag / eset | TO-252-4, DPak (3 Leads + Tab) |
Származási ország | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SQR50N04-3M8_GE3 Súly | lépjen kapcsolatba velünk |
Pótalkatrész száma | SQR50N04-3M8_GE3-FT |
SI5482DU-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI5484DU-T1-E3
Vishay Siliconix
SI5484DU-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI5485DU-T1-E3
Vishay Siliconix
SI5485DU-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI8416DB-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI8809EDB-T2-E1
Vishay Siliconix
SI8819EDB-T2-E1
Vishay Siliconix
SIA430DJ-T4-GE3
Vishay Siliconix
SIA444DJT-T4-GE3
Vishay Siliconix
LCMXO2-1200ZE-2TG144I
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S1400AN-4FGG484C
Xilinx Inc.
10M08DCF484C8G
Intel
5SGXMB5R3F43C3N
Intel
5SGXMA7H3F35I3
Intel
LCMXO2280E-3B256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000ZE-1FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGTFC7H3F35I3G
Intel
EP1C4F400C8
Intel
EP20K200EBC356-1
Intel