itthon / Termékek / Diszkrét félvezető termékek / Tranzisztorok - FET-ek, MOSFET-ek - Egyetlen / SQM35N30-97_GE3
Gyártási szám | SQM35N30-97_GE3 |
---|---|
Jövőbeni cikkszám | FT-SQM35N30-97_GE3 |
SPQ / MOQ | lépjen kapcsolatba velünk |
Csomagoló anyag | Reel/Tray/Tube/Others |
sorozat | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® |
SQM35N30-97_GE3 Állapot (életciklus) | Raktáron |
Részállapot | Active |
FET típus | N-Channel |
Technológia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 300V |
Aktuális - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C | 35A (Tc) |
A meghajtó feszültsége (max. RDS bekapcsolva, min. Rds bekapcsolva) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 97 mOhm @ 10A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 250µA |
Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs | 130nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds | 5650pF @ 25V |
FET funkció | - |
Teljesítmény-disszipáció (max.) | 375W (Tc) |
Üzemi hőmérséklet | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Szerelési típus | Surface Mount |
Beszállítói eszközcsomag | TO-263 (D²Pak) |
Csomag / eset | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Származási ország | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SQM35N30-97_GE3 Súly | lépjen kapcsolatba velünk |
Pótalkatrész száma | SQM35N30-97_GE3-FT |
SI7852DP-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI7856ADP-T1-E3
Vishay Siliconix
SI7856ADP-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI7858BDP-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI7860ADP-T1-E3
Vishay Siliconix
SI7860ADP-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI7860DP-T1-E3
Vishay Siliconix
SI7860DP-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI7866ADP-T1-E3
Vishay Siliconix
SI7866ADP-T1-GE3
Vishay Siliconix
XC6SLX150-3FG676I
Xilinx Inc.
XC3S1400A-5FG484C
Xilinx Inc.
AGL600V5-FG484I
Microsemi Corporation
LAXP2-8E-5FTN256E
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-1200HC-5SG32C
Lattice Semiconductor Corporation
A40MX04-3PL68I
Microsemi Corporation
5SGSED8N2F45I2
Intel
5SGXEBBR2H43I3L
Intel
LFEC10E-3F256C
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K10QC208-3N
Intel