itthon / Termékek / Diszkrét félvezető termékek / Tranzisztorok - FET-ek, MOSFET-ek - Egyetlen / SQJA96EP-T1_GE3
Gyártási szám | SQJA96EP-T1_GE3 |
---|---|
Jövőbeni cikkszám | FT-SQJA96EP-T1_GE3 |
SPQ / MOQ | lépjen kapcsolatba velünk |
Csomagoló anyag | Reel/Tray/Tube/Others |
sorozat | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® |
SQJA96EP-T1_GE3 Állapot (életciklus) | Raktáron |
Részállapot | Active |
FET típus | N-Channel |
Technológia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 80V |
Aktuális - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C | 30A (Tc) |
A meghajtó feszültsége (max. RDS bekapcsolva, min. Rds bekapcsolva) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 21.5 mOhm @ 10A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 250µA |
Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs | 25nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds | 1200pF @ 25V |
FET funkció | - |
Teljesítmény-disszipáció (max.) | 48W (Tc) |
Üzemi hőmérséklet | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Szerelési típus | Surface Mount |
Beszállítói eszközcsomag | PowerPAK® SO-8 |
Csomag / eset | PowerPAK® SO-8 |
Származási ország | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SQJA96EP-T1_GE3 Súly | lépjen kapcsolatba velünk |
Pótalkatrész száma | SQJA96EP-T1_GE3-FT |
2N6661JAN02
Vishay Siliconix
2N6661JTVP02
Vishay Siliconix
2N6661JTX02
Vishay Siliconix
2N6661JTXL02
Vishay Siliconix
2N6661JTXP02
Vishay Siliconix
2N6661JTXV02
Vishay Siliconix
VP0808B
Vishay Siliconix
VP0808B-2
Vishay Siliconix
VP0808B-E3
Vishay Siliconix
VP1008B
Vishay Siliconix
A1020B-VQG80I
Microsemi Corporation
XC6VLX75T-L1FFG484I
Xilinx Inc.
APA1000-BG456M
Microsemi Corporation
AGLN125V2-VQ100I
Microsemi Corporation
EP4CE75F23C8L
Intel
XC5VLX50-3FF676C
Xilinx Inc.
AGL060V2-CS121
Microsemi Corporation
EP20K400ERC240-1
Intel
EPF10K10QI208-4
Intel
EPF10K30AQC208-3N
Intel