itthon / Termékek / Diszkrét félvezető termékek / Tranzisztorok - FET-ek, MOSFET-ek - Egyetlen / SQJ488EP-T1_GE3
Gyártási szám | SQJ488EP-T1_GE3 |
---|---|
Jövőbeni cikkszám | FT-SQJ488EP-T1_GE3 |
SPQ / MOQ | lépjen kapcsolatba velünk |
Csomagoló anyag | Reel/Tray/Tube/Others |
sorozat | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® |
SQJ488EP-T1_GE3 Állapot (életciklus) | Raktáron |
Részállapot | Active |
FET típus | N-Channel |
Technológia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
Aktuális - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C | 42A (Tc) |
A meghajtó feszültsége (max. RDS bekapcsolva, min. Rds bekapcsolva) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 21 mOhm @ 7.4A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs | 27nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds | 979pF @ 25V |
FET funkció | - |
Teljesítmény-disszipáció (max.) | 83W (Tc) |
Üzemi hőmérséklet | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Szerelési típus | Surface Mount |
Beszállítói eszközcsomag | PowerPAK® SO-8 |
Csomag / eset | 8-PowerTDFN |
Származási ország | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SQJ488EP-T1_GE3 Súly | lépjen kapcsolatba velünk |
Pótalkatrész száma | SQJ488EP-T1_GE3-FT |
SIUD406ED-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIUD412ED-T1-GE3
Vishay Siliconix
IRFBF20LPBF
Vishay Siliconix
IRFSL11N50APBF
Vishay Siliconix
IRLZ24LPBF
Vishay Siliconix
IRF840ALPBF
Vishay Siliconix
IRFBE30LPBF
Vishay Siliconix
IRF840LCLPBF
Vishay Siliconix
IRF830ALPBF
Vishay Siliconix
IRFSL9N60APBF
Vishay Siliconix