itthon / Termékek / Diszkrét félvezető termékek / Tranzisztorok - FET-ek, MOSFET-ek - Egyetlen / SQD50N10-8M9L_GE3
Gyártási szám | SQD50N10-8M9L_GE3 |
---|---|
Jövőbeni cikkszám | FT-SQD50N10-8M9L_GE3 |
SPQ / MOQ | lépjen kapcsolatba velünk |
Csomagoló anyag | Reel/Tray/Tube/Others |
sorozat | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® |
SQD50N10-8M9L_GE3 Állapot (életciklus) | Raktáron |
Részállapot | Active |
FET típus | N-Channel |
Technológia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
Aktuális - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C | 50A (Tc) |
A meghajtó feszültsége (max. RDS bekapcsolva, min. Rds bekapcsolva) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8.9 mOhm @ 15A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs | 70nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds | 2950pF @ 25V |
FET funkció | - |
Teljesítmény-disszipáció (max.) | 136W (Tc) |
Üzemi hőmérséklet | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Szerelési típus | Surface Mount |
Beszállítói eszközcsomag | TO-252AA |
Csomag / eset | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Származási ország | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SQD50N10-8M9L_GE3 Súly | lépjen kapcsolatba velünk |
Pótalkatrész száma | SQD50N10-8M9L_GE3-FT |
SIHH14N65E-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIHH21N65E-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIHH21N65EF-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIHH100N60E-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIHH11N60E-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIHH11N65E-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIHH11N65EF-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIHH120N60E-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIHH14N60E-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIHH14N60EF-T1-GE3
Vishay Siliconix
LFXP6E-3TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
EX64-TQG100I
Microsemi Corporation
XCV1000E-8FG900C
Xilinx Inc.
A3P400-1FGG484I
Microsemi Corporation
A3P600-1FG256I
Microsemi Corporation
EP3SE50F484I3
Intel
EP2AGX125DF25C5N
Intel
5SGXMA7N2F45I2N
Intel
5SGXMA5H2F35C2LN
Intel
EP3SL150F780C4
Intel