itthon / Termékek / Diszkrét félvezető termékek / Tranzisztorok - FET-ek, MOSFET-ek - Egyetlen / SQD50N04-5M6_GE3
Gyártási szám | SQD50N04-5M6_GE3 |
---|---|
Jövőbeni cikkszám | FT-SQD50N04-5M6_GE3 |
SPQ / MOQ | lépjen kapcsolatba velünk |
Csomagoló anyag | Reel/Tray/Tube/Others |
sorozat | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® |
SQD50N04-5M6_GE3 Állapot (életciklus) | Raktáron |
Részállapot | Active |
FET típus | N-Channel |
Technológia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 40V |
Aktuális - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C | 50A (Tc) |
A meghajtó feszültsége (max. RDS bekapcsolva, min. Rds bekapcsolva) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.6 mOhm @ 20A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 250µA |
Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs | 85nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds | 4000pF @ 25V |
FET funkció | - |
Teljesítmény-disszipáció (max.) | 71W (Tc) |
Üzemi hőmérséklet | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Szerelési típus | Surface Mount |
Beszállítói eszközcsomag | TO-252AA |
Csomag / eset | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Származási ország | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SQD50N04-5M6_GE3 Súly | lépjen kapcsolatba velünk |
Pótalkatrész száma | SQD50N04-5M6_GE3-FT |
SIHH11N60EF-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIHH14N65E-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIHH21N65E-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIHH21N65EF-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIHH100N60E-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIHH11N60E-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIHH11N65E-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIHH11N65EF-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIHH120N60E-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIHH14N60E-T1-GE3
Vishay Siliconix
XC3S500E-4PQ208I
Xilinx Inc.
5SGSMD5K2F40C2L
Intel
LCMXO2-7000HC-4BG332C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-7000HE-4BG332C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-95EA-6FN672I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-35EA-8FN484I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3L-4300E-6MG121I
Lattice Semiconductor Corporation
5CEFA4U19A7N
Intel
EPF10K20RC240-3N
Intel
EP20K1000EFC33-3
Intel