itthon / Termékek / Diszkrét félvezető termékek / Tranzisztorok - FET-ek, MOSFET-ek - Egyetlen / SQD30N05-20L_GE3
Gyártási szám | SQD30N05-20L_GE3 |
---|---|
Jövőbeni cikkszám | FT-SQD30N05-20L_GE3 |
SPQ / MOQ | lépjen kapcsolatba velünk |
Csomagoló anyag | Reel/Tray/Tube/Others |
sorozat | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® |
SQD30N05-20L_GE3 Állapot (életciklus) | Raktáron |
Részállapot | Active |
FET típus | N-Channel |
Technológia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 55V |
Aktuális - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C | 30A (Tc) |
A meghajtó feszültsége (max. RDS bekapcsolva, min. Rds bekapcsolva) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 20 mOhm @ 20A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs | 18nC @ 5V |
Vgs (Max) | ±20V |
Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds | 1175pF @ 25V |
FET funkció | - |
Teljesítmény-disszipáció (max.) | 50W (Tc) |
Üzemi hőmérséklet | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Szerelési típus | Surface Mount |
Beszállítói eszközcsomag | TO-252AA |
Csomag / eset | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Származási ország | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SQD30N05-20L_GE3 Súly | lépjen kapcsolatba velünk |
Pótalkatrész száma | SQD30N05-20L_GE3-FT |
SISH101DN-T1-GE3
Vishay Siliconix
SISH625DN-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIHH28N60E-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIHH11N60EF-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIHH14N65E-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIHH21N65E-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIHH21N65EF-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIHH100N60E-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIHH11N60E-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIHH11N65E-T1-GE3
Vishay Siliconix