itthon / Termékek / Diszkrét félvezető termékek / Tranzisztorok - FET-ek, MOSFET-ek / SQ1912AEEH-T1_GE3
Gyártási szám | SQ1912AEEH-T1_GE3 |
---|---|
Jövőbeni cikkszám | FT-SQ1912AEEH-T1_GE3 |
SPQ / MOQ | lépjen kapcsolatba velünk |
Csomagoló anyag | Reel/Tray/Tube/Others |
sorozat | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® |
SQ1912AEEH-T1_GE3 Állapot (életciklus) | Raktáron |
Részállapot | Active |
FET típus | 2 N-Channel (Dual) |
FET funkció | Standard |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
Aktuális - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C | 800mA (Tc) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 280 mOhm @ 1.2A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs | 1.25nC @ 4.5V |
Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds | 27pF @ 10V |
Teljesítmény - Max | 1.5W |
Üzemi hőmérséklet | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Szerelési típus | Surface Mount |
Csomag / eset | PowerPAK® SC-70-6 Dual |
Beszállítói eszközcsomag | PowerPAK® SC-70-6 Dual |
Származási ország | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SQ1912AEEH-T1_GE3 Súly | lépjen kapcsolatba velünk |
Pótalkatrész száma | SQ1912AEEH-T1_GE3-FT |
DMC25D0UVT-7
Diodes Incorporated
SI3585CDV-T1-GE3
Vishay Siliconix
DMC25D0UVT-13
Diodes Incorporated
DMC2038LVTQ-7
Diodes Incorporated
IRF5810
Infineon Technologies
IRF5810TR
Infineon Technologies
IRF5810TRPBF
Infineon Technologies
IRF5850
Infineon Technologies
IRF5850TR
Infineon Technologies
IRF5850TRPBF
Infineon Technologies
AGLN015V2-QNG68
Microsemi Corporation
XC2VP70-5FF1517I
Xilinx Inc.
A54SX32A-TQ176M
Microsemi Corporation
LFE2M70SE-6F1152I
Lattice Semiconductor Corporation
A3P250-VQ100
Microsemi Corporation
EP2C35F672C7
Intel
EP4CE40U19I7N
Intel
5SEEBH40I2N
Intel
LFXP2-5E-6QN208I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3L-2100C-6BG256C
Lattice Semiconductor Corporation