itthon / Termékek / Diszkrét félvezető termékek / Tranzisztorok - FET-ek, MOSFET-ek - Egyetlen / SPB35N10 G
Gyártási szám | SPB35N10 G |
---|---|
Jövőbeni cikkszám | FT-SPB35N10 G |
SPQ / MOQ | lépjen kapcsolatba velünk |
Csomagoló anyag | Reel/Tray/Tube/Others |
sorozat | SIPMOS® |
SPB35N10 G Állapot (életciklus) | Raktáron |
Részállapot | Obsolete |
FET típus | N-Channel |
Technológia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
Aktuális - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C | 35A (Tc) |
A meghajtó feszültsége (max. RDS bekapcsolva, min. Rds bekapcsolva) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 44 mOhm @ 26.4A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 83µA |
Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs | 65nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds | 1570pF @ 25V |
FET funkció | - |
Teljesítmény-disszipáció (max.) | 150W (Tc) |
Üzemi hőmérséklet | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Szerelési típus | Surface Mount |
Beszállítói eszközcsomag | PG-TO263-3-2 |
Csomag / eset | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Származási ország | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SPB35N10 G Súly | lépjen kapcsolatba velünk |
Pótalkatrész száma | SPB35N10 G-FT |
NP48N055KLE-E1-AY
Renesas Electronics America
NP50P04KDG-E1-AY
Renesas Electronics America
NP50P06KDG-E1-AY
Renesas Electronics America
NP60N03KUG-E1-AY
Renesas Electronics America
NP60N04KUG-E1-AY
Renesas Electronics America
NP60N055KUG-E1-AY
Renesas Electronics America
NP70N10KUF-E1-AY
Renesas Electronics America
NP80N04KHE-E1-AY
Renesas Electronics America
NP80N04PLG-E1B-AY
Renesas Electronics America
NP80N04PUG-E1B-AY
Renesas Electronics America
A3P030-2QNG68I
Microsemi Corporation
A1425A-1PQ100I
Microsemi Corporation
XC4052XL-09HQ304C
Xilinx Inc.
A3P125-2PQ208I
Microsemi Corporation
A3P250L-VQG100I
Microsemi Corporation
EP3CLS100F484C7
Intel
EP2AGX125DF25C4N
Intel
EP2AGX65DF25C5
Intel
5CEBA5U19C8N
Intel
EP1C20F324I7N
Intel