itthon / Termékek / Diszkrét félvezető termékek / Tranzisztorok - FET-ek, MOSFET-ek - Egyetlen / SISS12DN-T1-GE3
Gyártási szám | SISS12DN-T1-GE3 |
---|---|
Jövőbeni cikkszám | FT-SISS12DN-T1-GE3 |
SPQ / MOQ | lépjen kapcsolatba velünk |
Csomagoló anyag | Reel/Tray/Tube/Others |
sorozat | TrenchFET® Gen IV |
SISS12DN-T1-GE3 Állapot (életciklus) | Raktáron |
Részállapot | Active |
FET típus | N-Channel |
Technológia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 40V |
Aktuális - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C | 37.5A (Ta), 60A (Tc) |
A meghajtó feszültsége (max. RDS bekapcsolva, min. Rds bekapcsolva) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.98 mOhm @ 10A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.4V @ 250µA |
Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs | 89nC @ 10V |
Vgs (Max) | +20V, -16V |
Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds | 4270pF @ 20V |
FET funkció | - |
Teljesítmény-disszipáció (max.) | 5W (Ta), 65.7W (Tc) |
Üzemi hőmérséklet | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Szerelési típus | Surface Mount |
Beszállítói eszközcsomag | PowerPAK® 1212-8S |
Csomag / eset | PowerPAK® 1212-8S |
Származási ország | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SISS12DN-T1-GE3 Súly | lépjen kapcsolatba velünk |
Pótalkatrész száma | SISS12DN-T1-GE3-FT |
SIHP35N60EF-GE3
Vishay Siliconix
SIHP6N65E-GE3
Vishay Siliconix
SIHA25N60EFL-E3
Vishay Siliconix
SIHA18N60E-E3
Vishay Siliconix
SIHA4N80E-GE3
Vishay Siliconix
SIHA6N80E-GE3
Vishay Siliconix
SIHA24N65EF-E3
Vishay Siliconix
SIHA21N60EF-E3
Vishay Siliconix
SIHA11N80E-GE3
Vishay Siliconix
SIHA14N60E-E3
Vishay Siliconix
XC2VP4-6FGG256C
Xilinx Inc.
XC4052XL-3HQ304C
Xilinx Inc.
XC2V250-6FGG456C
Xilinx Inc.
M1A3P600-1FGG484
Microsemi Corporation
A42MX36-PQ208I
Microsemi Corporation
M2GL090TS-1FGG676I
Microsemi Corporation
LFEC10E-4QN208I
Lattice Semiconductor Corporation
EP1K100QC208-3N
Intel
EP4SGX180FF35C2XN
Intel
EP1SGX25DF1020C6
Intel