itthon / Termékek / Diszkrét félvezető termékek / Tranzisztorok - FET-ek, MOSFET-ek - Egyetlen / SISS10DN-T1-GE3
Gyártási szám | SISS10DN-T1-GE3 |
---|---|
Jövőbeni cikkszám | FT-SISS10DN-T1-GE3 |
SPQ / MOQ | lépjen kapcsolatba velünk |
Csomagoló anyag | Reel/Tray/Tube/Others |
sorozat | TrenchFET® |
SISS10DN-T1-GE3 Állapot (életciklus) | Raktáron |
Részállapot | Active |
FET típus | N-Channel |
Technológia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 40V |
Aktuális - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C | 60A (Tc) |
A meghajtó feszültsége (max. RDS bekapcsolva, min. Rds bekapcsolva) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.65 mOhm @ 15A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.4V @ 250µA |
Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs | 75nC @ 10V |
Vgs (Max) | +20V, -16V |
Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds | 3750pF @ 20V |
FET funkció | - |
Teljesítmény-disszipáció (max.) | 57W (Tc) |
Üzemi hőmérséklet | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Szerelési típus | Surface Mount |
Beszállítói eszközcsomag | PowerPAK® 1212-8S (3.3x3.3) |
Csomag / eset | 8-PowerVDFN |
Származási ország | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SISS10DN-T1-GE3 Súly | lépjen kapcsolatba velünk |
Pótalkatrész száma | SISS10DN-T1-GE3-FT |
SIHP10N40D-GE3
Vishay Siliconix
SIHP14N50D-GE3
Vishay Siliconix
SIHFB11N50A-E3
Vishay Siliconix
SIHFB20N50K-E3
Vishay Siliconix
SIHP050N60E-GE3
Vishay Siliconix
SIHP100N60E-GE3
Vishay Siliconix
SIHP120N60E-GE3
Vishay Siliconix
SIHP12N60E-E3
Vishay Siliconix
SIHP12N60E-GE3
Vishay Siliconix
SIHP15N50E-GE3
Vishay Siliconix
A1010B-2VQ80I
Microsemi Corporation
EPF10K30ATC144-1
Intel
XC3S500E-4PQ208I
Xilinx Inc.
AFS090-2FG256I
Microsemi Corporation
AGL1000V5-FGG256I
Microsemi Corporation
LCMXO3L-4300C-5BG324I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2C20F484C6
Intel
10AX022E3F29I2LG
Intel
5CGXBC9A7U19C8N
Intel
EP4CE75F29C8
Intel