itthon / Termékek / Diszkrét félvezető termékek / Tranzisztorok - FET-ek, MOSFET-ek - Egyetlen / SISS10ADN-T1-GE3
Gyártási szám | SISS10ADN-T1-GE3 |
---|---|
Jövőbeni cikkszám | FT-SISS10ADN-T1-GE3 |
SPQ / MOQ | lépjen kapcsolatba velünk |
Csomagoló anyag | Reel/Tray/Tube/Others |
sorozat | TrenchFET® Gen IV |
SISS10ADN-T1-GE3 Állapot (életciklus) | Raktáron |
Részállapot | Active |
FET típus | N-Channel |
Technológia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 40V |
Aktuális - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C | 31.7A (Ta), 109A (Tc) |
A meghajtó feszültsége (max. RDS bekapcsolva, min. Rds bekapcsolva) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.65 mOhm @ 15A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.4V @ 250µA |
Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs | 61nC @ 10V |
Vgs (Max) | +20V, -16V |
Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds | 3030pF @ 20V |
FET funkció | - |
Teljesítmény-disszipáció (max.) | 4.8W (Ta), 56.8W (Tc) |
Üzemi hőmérséklet | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Szerelési típus | Surface Mount |
Beszállítói eszközcsomag | PowerPAK® 1212-8S |
Csomag / eset | PowerPAK® 1212-8S |
Származási ország | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SISS10ADN-T1-GE3 Súly | lépjen kapcsolatba velünk |
Pótalkatrész száma | SISS10ADN-T1-GE3-FT |
FDFMA2P029Z-F106
ON Semiconductor
DMN63D1LT-7
Diodes Incorporated
DMN2004WKQ-7
Diodes Incorporated
DMT69M8LFV-7
Diodes Incorporated
DMPH4013SK3Q-13
Diodes Incorporated
DMG1013TQ-7
Diodes Incorporated
DMP2040UVT-7
Diodes Incorporated
DMP3007SCG-13
Diodes Incorporated
DMN5L06WKQ-7
Diodes Incorporated
DMN3009LFV-13
Diodes Incorporated
M2GL025T-1VFG256I
Microsemi Corporation
EPF10K10ATC100-1
Intel
EPF10K130EFC484-1N
Intel
5SGSED6K2F40I3L
Intel
5SGSMD8K2F40I2LN
Intel
5SGXEA3K3F35C2N
Intel
XC6VLX240T-L1FFG1759I
Xilinx Inc.
XC4VLX60-12FFG1148C
Xilinx Inc.
XC5VLX30-1FFG676C
Xilinx Inc.
EP20K100FI324-2XV
Intel