itthon / Termékek / Diszkrét félvezető termékek / Tranzisztorok - FET-ek, MOSFET-ek - Egyetlen / SIS427EDN-T1-GE3
Gyártási szám | SIS427EDN-T1-GE3 |
---|---|
Jövőbeni cikkszám | FT-SIS427EDN-T1-GE3 |
SPQ / MOQ | lépjen kapcsolatba velünk |
Csomagoló anyag | Reel/Tray/Tube/Others |
sorozat | TrenchFET® |
SIS427EDN-T1-GE3 Állapot (életciklus) | Raktáron |
Részállapot | Active |
FET típus | P-Channel |
Technológia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Aktuális - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C | 50A (Tc) |
A meghajtó feszültsége (max. RDS bekapcsolva, min. Rds bekapcsolva) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 10.6 mOhm @ 11A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs | 66nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±25V |
Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds | 1930pF @ 15V |
FET funkció | - |
Teljesítmény-disszipáció (max.) | 3.7W (Ta), 52W (Tc) |
Üzemi hőmérséklet | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Szerelési típus | Surface Mount |
Beszállítói eszközcsomag | PowerPAK® 1212-8 |
Csomag / eset | PowerPAK® 1212-8 |
Származási ország | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SIS427EDN-T1-GE3 Súly | lépjen kapcsolatba velünk |
Pótalkatrész száma | SIS427EDN-T1-GE3-FT |
SIHB33N60ET1-GE3
Vishay Siliconix
SIHB33N60ET5-GE3
Vishay Siliconix
IRLU014PBF
Vishay Siliconix
IRFU9220PBF
Vishay Siliconix
SIHU2N80E-GE3
Vishay Siliconix
IRFU9020PBF
Vishay Siliconix
IRFU9214PBF
Vishay Siliconix
IRFU430APBF
Vishay Siliconix
IRFU9120PBF
Vishay Siliconix
IRFU310PBF
Vishay Siliconix
XCV200-5FG256I
Xilinx Inc.
APA150-FGG256
Microsemi Corporation
M7A3P1000-FGG256I
Microsemi Corporation
A40MX04-1PL68
Microsemi Corporation
EP1M350F780C6
Intel
LCMXO2-2000HE-6FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP2-40E-6FN484I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066H1F34I1SG
Intel
EP1C6Q240C7N
Intel
EP1K100QC208-1GZ
Intel