itthon / Termékek / Diszkrét félvezető termékek / Tranzisztorok - FET-ek, MOSFET-ek - Egyetlen / SIS406DN-T1-GE3
Gyártási szám | SIS406DN-T1-GE3 |
---|---|
Jövőbeni cikkszám | FT-SIS406DN-T1-GE3 |
SPQ / MOQ | lépjen kapcsolatba velünk |
Csomagoló anyag | Reel/Tray/Tube/Others |
sorozat | TrenchFET® |
SIS406DN-T1-GE3 Állapot (életciklus) | Raktáron |
Részállapot | Active |
FET típus | N-Channel |
Technológia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Aktuális - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C | 9A (Ta) |
A meghajtó feszültsége (max. RDS bekapcsolva, min. Rds bekapcsolva) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 11 mOhm @ 12A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs | 28nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±25V |
Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds | 1100pF @ 15V |
FET funkció | - |
Teljesítmény-disszipáció (max.) | 1.5W (Ta) |
Üzemi hőmérséklet | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Szerelési típus | Surface Mount |
Beszállítói eszközcsomag | PowerPAK® 1212-8 |
Csomag / eset | PowerPAK® 1212-8 |
Származási ország | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SIS406DN-T1-GE3 Súly | lépjen kapcsolatba velünk |
Pótalkatrész száma | SIS406DN-T1-GE3-FT |
SQS401EN-T1_GE3
Vishay Siliconix
SIS410DN-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI7119DN-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIS476DN-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI7619DN-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI7625DN-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIS443DN-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI7322DN-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIS413DN-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI7113DN-T1-GE3
Vishay Siliconix
XC3S200A-4FT256I
Xilinx Inc.
XC3S2000-4FG456C
Xilinx Inc.
A42MX09-VQ100I
Microsemi Corporation
AGL030V5-VQ100I
Microsemi Corporation
EP2C50F672I8
Intel
XC6SLX4-2CSG225I
Xilinx Inc.
AGL600V2-CSG281
Microsemi Corporation
LFXP6C-3Q208C
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP2-40E-6F484I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SL50F780C4
Intel