itthon / Termékek / Diszkrét félvezető termékek / Tranzisztorok - FET-ek, MOSFET-ek - Egyetlen / SIS402DN-T1-GE3
Gyártási szám | SIS402DN-T1-GE3 |
---|---|
Jövőbeni cikkszám | FT-SIS402DN-T1-GE3 |
SPQ / MOQ | lépjen kapcsolatba velünk |
Csomagoló anyag | Reel/Tray/Tube/Others |
sorozat | TrenchFET® |
SIS402DN-T1-GE3 Állapot (életciklus) | Raktáron |
Részállapot | Active |
FET típus | N-Channel |
Technológia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Aktuális - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C | 35A (Tc) |
A meghajtó feszültsége (max. RDS bekapcsolva, min. Rds bekapcsolva) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6 mOhm @ 19A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.2V @ 250µA |
Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs | 42nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds | 1700pF @ 15V |
FET funkció | - |
Teljesítmény-disszipáció (max.) | 3.8W (Ta), 52W (Tc) |
Üzemi hőmérséklet | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Szerelési típus | Surface Mount |
Beszállítói eszközcsomag | PowerPAK® 1212-8 |
Csomag / eset | PowerPAK® 1212-8 |
Származási ország | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SIS402DN-T1-GE3 Súly | lépjen kapcsolatba velünk |
Pótalkatrész száma | SIS402DN-T1-GE3-FT |
SIHU7N60E-GE3
Vishay Siliconix
SQS401EN-T1_GE3
Vishay Siliconix
SIS410DN-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI7119DN-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIS476DN-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI7619DN-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI7625DN-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIS443DN-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI7322DN-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIS413DN-T1-GE3
Vishay Siliconix
A3PE600-2FGG484I
Microsemi Corporation
M1A3P600-2PQ208
Microsemi Corporation
LFE3-35EA-8LFTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
AGLN060V5-ZVQ100
Microsemi Corporation
10M25DAF256C7G
Intel
EP3SE260F1152I3
Intel
LCMXO640C-4M100C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE110F780C2
Intel
10AX048E2F29I1HG
Intel
EP20K60EQC208-1
Intel