itthon / Termékek / Diszkrét félvezető termékek / Tranzisztorok - FET-ek, MOSFET-ek - Egyetlen / SIRC16DP-T1-GE3
Gyártási szám | SIRC16DP-T1-GE3 |
---|---|
Jövőbeni cikkszám | FT-SIRC16DP-T1-GE3 |
SPQ / MOQ | lépjen kapcsolatba velünk |
Csomagoló anyag | Reel/Tray/Tube/Others |
sorozat | TrenchFET® Gen IV |
SIRC16DP-T1-GE3 Állapot (életciklus) | Raktáron |
Részállapot | Active |
FET típus | N-Channel |
Technológia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 25V |
Aktuális - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C | 60A (Tc) |
A meghajtó feszültsége (max. RDS bekapcsolva, min. Rds bekapcsolva) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 0.96 mOhm @ 15A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.4V @ 250µA |
Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs | 48nC @ 4.5V |
Vgs (Max) | +20V, -16V |
Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds | 5150pF @ 10V |
FET funkció | - |
Teljesítmény-disszipáció (max.) | 54.3W (Tc) |
Üzemi hőmérséklet | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Szerelési típus | Surface Mount |
Beszállítói eszközcsomag | PowerPAK® SO-8 |
Csomag / eset | PowerPAK® SO-8 |
Származási ország | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SIRC16DP-T1-GE3 Súly | lépjen kapcsolatba velünk |
Pótalkatrész száma | SIRC16DP-T1-GE3-FT |
IRFB9N30A
Vishay Siliconix
IRFB9N30APBF
Vishay Siliconix
IRFB9N60A
Vishay Siliconix
IRFB9N65A
Vishay Siliconix
IRFBC20
Vishay Siliconix
IRFBC30
Vishay Siliconix
IRFBC30A
Vishay Siliconix
IRFBC40
Vishay Siliconix
IRFBC40A
Vishay Siliconix
IRFBC40LC
Vishay Siliconix
XC4005XL-2PQ100I
Xilinx Inc.
XC2VP4-5FG456C
Xilinx Inc.
EPF10K100AFC484-3
Intel
EP4CE10F17C8L
Intel
EP2AGX95DF25C6
Intel
XC6VLX240T-1FF1156C
Xilinx Inc.
XC4VFX40-10FF672C
Xilinx Inc.
XC2V8000-4FFG1152C
Xilinx Inc.
LFXP2-30E-5FT256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HE-4BG256I
Lattice Semiconductor Corporation