itthon / Termékek / Diszkrét félvezető termékek / Tranzisztorok - FET-ek, MOSFET-ek - Egyetlen / SIRA62DP-T1-RE3
Gyártási szám | SIRA62DP-T1-RE3 |
---|---|
Jövőbeni cikkszám | FT-SIRA62DP-T1-RE3 |
SPQ / MOQ | lépjen kapcsolatba velünk |
Csomagoló anyag | Reel/Tray/Tube/Others |
sorozat | TrenchFET® Gen IV |
SIRA62DP-T1-RE3 Állapot (életciklus) | Raktáron |
Részállapot | Active |
FET típus | N-Channel |
Technológia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Aktuális - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C | 51.4A (Ta), 80A (Tc) |
A meghajtó feszültsége (max. RDS bekapcsolva, min. Rds bekapcsolva) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.2 mOhm @ 15A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.2V @ 250µA |
Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs | 93nC @ 10V |
Vgs (Max) | +16V, -12V |
Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds | 4460pF @ 15V |
FET funkció | - |
Teljesítmény-disszipáció (max.) | 5.2W (Ta), 65.7W (Tc) |
Üzemi hőmérséklet | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Szerelési típus | Surface Mount |
Beszállítói eszközcsomag | PowerPAK® SO-8 |
Csomag / eset | PowerPAK® SO-8 |
Származási ország | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SIRA62DP-T1-RE3 Súly | lépjen kapcsolatba velünk |
Pótalkatrész száma | SIRA62DP-T1-RE3-FT |
SIR462DP-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI7143DP-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI7149DP-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI7164DP-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI7431DP-T1-E3
Vishay Siliconix
SI7852ADP-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIR422DP-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIR800DP-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI7139DP-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI7190DP-T1-GE3
Vishay Siliconix
XCV1000E-8FG900C
Xilinx Inc.
LCMXO640C-4FTN256I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3L-9400C-5BG484I
Lattice Semiconductor Corporation
M1AGL250V2-VQ100
Microsemi Corporation
M1AGL250V5-VQG100
Microsemi Corporation
EP2S60F484C5
Intel
5SGXMA7K3F40C3
Intel
XC4020E-2HQ208I
Xilinx Inc.
5AGXMA7G4F35I5N
Intel
EPF8820QC160-4
Intel