itthon / Termékek / Diszkrét félvezető termékek / Tranzisztorok - FET-ek, MOSFET-ek - Egyetlen / SIRA60DP-T1-GE3
Gyártási szám | SIRA60DP-T1-GE3 |
---|---|
Jövőbeni cikkszám | FT-SIRA60DP-T1-GE3 |
SPQ / MOQ | lépjen kapcsolatba velünk |
Csomagoló anyag | Reel/Tray/Tube/Others |
sorozat | TrenchFET® Gen IV |
SIRA60DP-T1-GE3 Állapot (életciklus) | Raktáron |
Részállapot | Active |
FET típus | N-Channel |
Technológia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Aktuális - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C | 100A (Tc) |
A meghajtó feszültsége (max. RDS bekapcsolva, min. Rds bekapcsolva) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 0.94 mOhm @ 20A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.2V @ 250µA |
Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs | 60nC @ 4.5V |
Vgs (Max) | +20V, -16V |
Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds | 7650pF @ 15V |
FET funkció | - |
Teljesítmény-disszipáció (max.) | 57W (Tc) |
Üzemi hőmérséklet | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Szerelési típus | Surface Mount |
Beszállítói eszközcsomag | PowerPAK® SO-8 |
Csomag / eset | PowerPAK® SO-8 |
Származási ország | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SIRA60DP-T1-GE3 Súly | lépjen kapcsolatba velünk |
Pótalkatrész száma | SIRA60DP-T1-GE3-FT |
IRFB17N50L
Vishay Siliconix
IRFB17N60K
Vishay Siliconix
IRFB17N60KPBF
Vishay Siliconix
IRFB9N30A
Vishay Siliconix
IRFB9N30APBF
Vishay Siliconix
IRFB9N60A
Vishay Siliconix
IRFB9N65A
Vishay Siliconix
IRFBC20
Vishay Siliconix
IRFBC30
Vishay Siliconix
IRFBC30A
Vishay Siliconix
LFXP3C-3TN100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC2V4000-5FF1517I
Xilinx Inc.
A54SX72A-FGG256
Microsemi Corporation
M2GL025TS-VFG256
Microsemi Corporation
EP4CGX30CF23I7
Intel
5SGSED8N3F45I3LN
Intel
5SGXEB5R1F43I2N
Intel
AGL1000V5-FGG144I
Microsemi Corporation
LFE2M70SE-6FN900I
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SGX70HF35C2G
Intel