itthon / Termékek / Diszkrét félvezető termékek / Tranzisztorok - FET-ek, MOSFET-ek - Egyetlen / SIRA52ADP-T1-RE3
Gyártási szám | SIRA52ADP-T1-RE3 |
---|---|
Jövőbeni cikkszám | FT-SIRA52ADP-T1-RE3 |
SPQ / MOQ | lépjen kapcsolatba velünk |
Csomagoló anyag | Reel/Tray/Tube/Others |
sorozat | TrenchFET® Gen IV |
SIRA52ADP-T1-RE3 Állapot (életciklus) | Raktáron |
Részállapot | Active |
FET típus | N-Channel |
Technológia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 40V |
Aktuális - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C | 41.6A (Ta), 131A (Tc) |
A meghajtó feszültsége (max. RDS bekapcsolva, min. Rds bekapcsolva) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.63 mOhm @ 15A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.4V @ 250µA |
Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs | 100nC @ 10V |
Vgs (Max) | +20V, -16V |
Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds | 5500pF @ 20V |
FET funkció | - |
Teljesítmény-disszipáció (max.) | 4.8W (Ta), 48W (Tc) |
Üzemi hőmérséklet | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Szerelési típus | Surface Mount |
Beszállítói eszközcsomag | PowerPAK® SO-8 |
Csomag / eset | PowerPAK® SO-8 |
Származási ország | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SIRA52ADP-T1-RE3 Súly | lépjen kapcsolatba velünk |
Pótalkatrész száma | SIRA52ADP-T1-RE3-FT |
SI7686DP-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI7742DP-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI7748DP-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI7758DP-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI7774DP-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI7784DP-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI7788DP-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI7790DP-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI7792DP-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI7794DP-T1-GE3
Vishay Siliconix
XCVU095-2FFVD1517I
Xilinx Inc.
AGL1000V2-FG256T
Microsemi Corporation
A42MX24-2PQ208I
Microsemi Corporation
ICE5LP4K-SWG36ITR
Lattice Semiconductor Corporation
A42MX09-1VQ100
Microsemi Corporation
10CL016YU256I7G
Intel
EP3C10F256I7
Intel
LCMXO2-7000HE-6FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066K1F35E1SG
Intel
EP2AGX65CU17C4
Intel