itthon / Termékek / Diszkrét félvezető termékek / Tranzisztorok - FET-ek, MOSFET-ek - Egyetlen / SIRA12DP-T1-GE3
Gyártási szám | SIRA12DP-T1-GE3 |
---|---|
Jövőbeni cikkszám | FT-SIRA12DP-T1-GE3 |
SPQ / MOQ | lépjen kapcsolatba velünk |
Csomagoló anyag | Reel/Tray/Tube/Others |
sorozat | TrenchFET® |
SIRA12DP-T1-GE3 Állapot (életciklus) | Raktáron |
Részállapot | Active |
FET típus | N-Channel |
Technológia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Aktuális - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C | 25A (Tc) |
A meghajtó feszültsége (max. RDS bekapcsolva, min. Rds bekapcsolva) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.3 mOhm @ 10A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.2V @ 250µA |
Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs | 45nC @ 10V |
Vgs (Max) | +20V, -16V |
Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds | 2070pF @ 15V |
FET funkció | - |
Teljesítmény-disszipáció (max.) | 4.5W (Ta), 31W (Tc) |
Üzemi hőmérséklet | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Szerelési típus | Surface Mount |
Beszállítói eszközcsomag | PowerPAK® SO-8 |
Csomag / eset | PowerPAK® SO-8 |
Származási ország | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SIRA12DP-T1-GE3 Súly | lépjen kapcsolatba velünk |
Pótalkatrész száma | SIRA12DP-T1-GE3-FT |
SIRA00DP-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI7456DP-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI7460DP-T1-E3
Vishay Siliconix
SIR462DP-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI7143DP-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI7149DP-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI7164DP-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI7431DP-T1-E3
Vishay Siliconix
SI7852ADP-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIR422DP-T1-GE3
Vishay Siliconix
A1010B-2VQ80I
Microsemi Corporation
EPF10K30ATC144-1
Intel
XC3S500E-4PQ208I
Xilinx Inc.
AFS090-2FG256I
Microsemi Corporation
AGL1000V5-FGG256I
Microsemi Corporation
LCMXO3L-4300C-5BG324I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2C20F484C6
Intel
10AX022E3F29I2LG
Intel
5CGXBC9A7U19C8N
Intel
EP4CE75F29C8
Intel