itthon / Termékek / Diszkrét félvezető termékek / Tranzisztorok - FET-ek, MOSFET-ek - Egyetlen / SIR892DP-T1-GE3
Gyártási szám | SIR892DP-T1-GE3 |
---|---|
Jövőbeni cikkszám | FT-SIR892DP-T1-GE3 |
SPQ / MOQ | lépjen kapcsolatba velünk |
Csomagoló anyag | Reel/Tray/Tube/Others |
sorozat | TrenchFET® |
SIR892DP-T1-GE3 Állapot (életciklus) | Raktáron |
Részállapot | Obsolete |
FET típus | N-Channel |
Technológia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 25V |
Aktuális - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C | 50A (Tc) |
A meghajtó feszültsége (max. RDS bekapcsolva, min. Rds bekapcsolva) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.2 mOhm @ 10A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.6V @ 250µA |
Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs | 60nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds | 2645pF @ 10V |
FET funkció | - |
Teljesítmény-disszipáció (max.) | 5W (Ta), 50W (Tc) |
Üzemi hőmérséklet | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Szerelési típus | Surface Mount |
Beszállítói eszközcsomag | PowerPAK® SO-8 |
Csomag / eset | PowerPAK® SO-8 |
Származási ország | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SIR892DP-T1-GE3 Súly | lépjen kapcsolatba velünk |
Pótalkatrész száma | SIR892DP-T1-GE3-FT |
SI7674DP-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI7682DP-T1-E3
Vishay Siliconix
SI7682DP-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI7686DP-T1-E3
Vishay Siliconix
SI7686DP-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI7742DP-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI7748DP-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI7758DP-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI7774DP-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI7784DP-T1-GE3
Vishay Siliconix
XCV1000E-8FG900C
Xilinx Inc.
LCMXO640C-4FTN256I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3L-9400C-5BG484I
Lattice Semiconductor Corporation
M1AGL250V2-VQ100
Microsemi Corporation
M1AGL250V5-VQG100
Microsemi Corporation
EP2S60F484C5
Intel
5SGXMA7K3F40C3
Intel
XC4020E-2HQ208I
Xilinx Inc.
5AGXMA7G4F35I5N
Intel
EPF8820QC160-4
Intel