itthon / Termékek / Diszkrét félvezető termékek / Tranzisztorok - FET-ek, MOSFET-ek - Egyetlen / SIR826DP-T1-RE3
Gyártási szám | SIR826DP-T1-RE3 |
---|---|
Jövőbeni cikkszám | FT-SIR826DP-T1-RE3 |
SPQ / MOQ | lépjen kapcsolatba velünk |
Csomagoló anyag | Reel/Tray/Tube/Others |
sorozat | TrenchFET® |
SIR826DP-T1-RE3 Állapot (életciklus) | Raktáron |
Részállapot | Active |
FET típus | N-Channel |
Technológia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 80V |
Aktuális - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C | 60A (Tc) |
A meghajtó feszültsége (max. RDS bekapcsolva, min. Rds bekapcsolva) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.8 mOhm @ 20A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.8V @ 250µA |
Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs | 90nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds | 2900pF @ 40V |
FET funkció | - |
Teljesítmény-disszipáció (max.) | 104W (Tc) |
Üzemi hőmérséklet | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Szerelési típus | Surface Mount |
Beszállítói eszközcsomag | PowerPAK® SO-8 |
Csomag / eset | PowerPAK® SO-8 |
Származási ország | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SIR826DP-T1-RE3 Súly | lépjen kapcsolatba velünk |
Pótalkatrész száma | SIR826DP-T1-RE3-FT |
RJK2057DPA-WS#J0
Renesas Electronics America
RJK2555DPA-WS#J0
Renesas Electronics America
RJK2557DPA-WS#J0
Renesas Electronics America
RJK4006DPD-WS#J2
Renesas Electronics America
RJK4532DPD-E0#J2
Renesas Electronics America
RJK5006DPD-WS#J2
Renesas Electronics America
RJK5015DPK-00#T0
Renesas Electronics America
RJK5030DPD-01#J2
Renesas Electronics America
RJK5030DPD-02#J2
Renesas Electronics America
RJK5031DPD-01#J2
Renesas Electronics America
XC4005XL-2PQ100I
Xilinx Inc.
XC2VP4-5FG456C
Xilinx Inc.
EPF10K100AFC484-3
Intel
EP4CE10F17C8L
Intel
EP2AGX95DF25C6
Intel
XC6VLX240T-1FF1156C
Xilinx Inc.
XC4VFX40-10FF672C
Xilinx Inc.
XC2V8000-4FFG1152C
Xilinx Inc.
LFXP2-30E-5FT256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HE-4BG256I
Lattice Semiconductor Corporation