itthon / Termékek / Diszkrét félvezető termékek / Tranzisztorok - FET-ek, MOSFET-ek - Egyetlen / SIR167DP-T1-GE3
Gyártási szám | SIR167DP-T1-GE3 |
---|---|
Jövőbeni cikkszám | FT-SIR167DP-T1-GE3 |
SPQ / MOQ | lépjen kapcsolatba velünk |
Csomagoló anyag | Reel/Tray/Tube/Others |
sorozat | TrenchFET® Gen III |
SIR167DP-T1-GE3 Állapot (életciklus) | Raktáron |
Részállapot | Active |
FET típus | P-Channel |
Technológia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Aktuális - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C | 60A (Tc) |
A meghajtó feszültsége (max. RDS bekapcsolva, min. Rds bekapcsolva) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.5 mOhm @ 15A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs | 111nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±25V |
Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds | 4380pF @ 15V |
FET funkció | - |
Teljesítmény-disszipáció (max.) | 65.8W (Tc) |
Üzemi hőmérséklet | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Szerelési típus | Surface Mount |
Beszállítói eszközcsomag | PowerPAK® SO-8 |
Csomag / eset | PowerPAK® SO-8 |
Származási ország | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SIR167DP-T1-GE3 Súly | lépjen kapcsolatba velünk |
Pótalkatrész száma | SIR167DP-T1-GE3-FT |
SI7463DP-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI7178DP-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI7850DP-T1-E3
Vishay Siliconix
SI7336ADP-T1-E3
Vishay Siliconix
SI7478DP-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI7846DP-T1-E3
Vishay Siliconix
SI7850DP-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIR410DP-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI7141DP-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI7450DP-T1-GE3
Vishay Siliconix