itthon / Termékek / Diszkrét félvezető termékek / Tranzisztorok - FET-ek, MOSFET-ek - Egyetlen / SIHP17N80E-GE3
Gyártási szám | SIHP17N80E-GE3 |
---|---|
Jövőbeni cikkszám | FT-SIHP17N80E-GE3 |
SPQ / MOQ | lépjen kapcsolatba velünk |
Csomagoló anyag | Reel/Tray/Tube/Others |
sorozat | E |
SIHP17N80E-GE3 Állapot (életciklus) | Raktáron |
Részállapot | Active |
FET típus | N-Channel |
Technológia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 800V |
Aktuális - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C | 15A (Tc) |
A meghajtó feszültsége (max. RDS bekapcsolva, min. Rds bekapcsolva) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 290 mOhm @ 8.5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs | 122nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±30V |
Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds | 2408pF @ 100V |
FET funkció | - |
Teljesítmény-disszipáció (max.) | 208W (Tc) |
Üzemi hőmérséklet | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Szerelési típus | Through Hole |
Beszállítói eszközcsomag | TO-220AB |
Csomag / eset | TO-220-3 |
Származási ország | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SIHP17N80E-GE3 Súly | lépjen kapcsolatba velünk |
Pótalkatrész száma | SIHP17N80E-GE3-FT |
SIHP6N40D-E3
Vishay Siliconix
IRFZ10PBF
Vishay Siliconix
SUP85N10-10-E3
Vishay Siliconix
SUP85N10-10-GE3
Vishay Siliconix
SUP90N06-6M0P-E3
Vishay Siliconix
IRF840LC
Vishay Siliconix
IRF9Z10
Vishay Siliconix
IRF9Z20
Vishay Siliconix
SIHP17N60D-GE3
Vishay Siliconix
SIHP5N50D-E3
Vishay Siliconix
XCV50-6TQ144C
Xilinx Inc.
LCMXO2-256HC-4SG32C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE5UM-45F-8BG554C
Lattice Semiconductor Corporation
M1AGL250V5-VQ100
Microsemi Corporation
EPF10K100ABC600-1
Intel
5SGXMA5K1F40C2LN
Intel
XC4013E-2HQ208I
Xilinx Inc.
XC2VP2-6FF672I
Xilinx Inc.
XC6SLX9-L1CPG196C
Xilinx Inc.
M1AGL1000V2-FGG144I
Microsemi Corporation