itthon / Termékek / Diszkrét félvezető termékek / Tranzisztorok - FET-ek, MOSFET-ek - Egyetlen / SIHP16N50C-E3
Gyártási szám | SIHP16N50C-E3 |
---|---|
Jövőbeni cikkszám | FT-SIHP16N50C-E3 |
SPQ / MOQ | lépjen kapcsolatba velünk |
Csomagoló anyag | Reel/Tray/Tube/Others |
sorozat | - |
SIHP16N50C-E3 Állapot (életciklus) | Raktáron |
Részállapot | Active |
FET típus | N-Channel |
Technológia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 500V |
Aktuális - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C | 16A (Tc) |
A meghajtó feszültsége (max. RDS bekapcsolva, min. Rds bekapcsolva) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 380 mOhm @ 8A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs | 68nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±30V |
Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds | 1900pF @ 25V |
FET funkció | - |
Teljesítmény-disszipáció (max.) | 250W (Tc) |
Üzemi hőmérséklet | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Szerelési típus | Through Hole |
Beszállítói eszközcsomag | TO-220AB |
Csomag / eset | TO-220-3 |
Származási ország | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SIHP16N50C-E3 Súly | lépjen kapcsolatba velünk |
Pótalkatrész száma | SIHP16N50C-E3-FT |
SI3458DV-T1-E3
Vishay Siliconix
SI3459DV-T1-E3
Vishay Siliconix
SI3460DDV-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI3460DV-T1-E3
Vishay Siliconix
SI3460DV-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI3473CDV-T1-E3
Vishay Siliconix
SI3473CDV-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI3473DDV-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI3473DV-T1-E3
Vishay Siliconix
SI3473DV-T1-GE3
Vishay Siliconix
AT6010ALV-4AC
Microchip Technology
EX64-TQ100I
Microsemi Corporation
XC4005XL-3VQ100I
Xilinx Inc.
M1A3P600L-1FGG484I
Microsemi Corporation
LFE5UM-85F-7BG756I
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K200EFC484-2XN
Intel
5SGXEA5K3F40I3LN
Intel
EP4CE6E22C8N
Intel
LFEC6E-5F484C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXEA3H2F35I3LN
Intel