itthon / Termékek / Diszkrét félvezető termékek / Tranzisztorok - FET-ek, MOSFET-ek - Egyetlen / SIHG47N65E-GE3
Gyártási szám | SIHG47N65E-GE3 |
---|---|
Jövőbeni cikkszám | FT-SIHG47N65E-GE3 |
SPQ / MOQ | lépjen kapcsolatba velünk |
Csomagoló anyag | Reel/Tray/Tube/Others |
sorozat | - |
SIHG47N65E-GE3 Állapot (életciklus) | Raktáron |
Részállapot | Active |
FET típus | N-Channel |
Technológia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 650V |
Aktuális - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C | 47A (Tc) |
A meghajtó feszültsége (max. RDS bekapcsolva, min. Rds bekapcsolva) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 72 mOhm @ 24A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs | 273nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±30V |
Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds | 5682pF @ 100V |
FET funkció | - |
Teljesítmény-disszipáció (max.) | 417W (Tc) |
Üzemi hőmérséklet | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Szerelési típus | Through Hole |
Beszállítói eszközcsomag | TO-247AC |
Csomag / eset | TO-247-3 |
Származási ország | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SIHG47N65E-GE3 Súly | lépjen kapcsolatba velünk |
Pótalkatrész száma | SIHG47N65E-GE3-FT |
SIHD6N65E-GE3
Vishay Siliconix
SIHD7N60E-E3
Vishay Siliconix
SIHFR1N60ATR-GE3
Vishay Siliconix
SQD15N06-42L_GE3
Vishay Siliconix
SQD25N06-22L_GE3
Vishay Siliconix
SQD35N05-26L-GE3
Vishay Siliconix
SQD50N04-09H-GE3
Vishay Siliconix
SQD50N06-09L_GE3
Vishay Siliconix
SQD50P04-09L_GE3
Vishay Siliconix
SQD50P06-15L_GE3
Vishay Siliconix
LCMXO2-1200ZE-2TG144I
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S1400AN-4FGG484C
Xilinx Inc.
10M08DCF484C8G
Intel
5SGXMB5R3F43C3N
Intel
5SGXMA7H3F35I3
Intel
LCMXO2280E-3B256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000ZE-1FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGTFC7H3F35I3G
Intel
EP1C4F400C8
Intel
EP20K200EBC356-1
Intel