itthon / Termékek / Diszkrét félvezető termékek / Tranzisztorok - FET-ek, MOSFET-ek - Egyetlen / SIHG22N60EL-GE3
Gyártási szám | SIHG22N60EL-GE3 |
---|---|
Jövőbeni cikkszám | FT-SIHG22N60EL-GE3 |
SPQ / MOQ | lépjen kapcsolatba velünk |
Csomagoló anyag | Reel/Tray/Tube/Others |
sorozat | - |
SIHG22N60EL-GE3 Állapot (életciklus) | Raktáron |
Részállapot | Active |
FET típus | N-Channel |
Technológia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
Aktuális - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C | 21A (Tc) |
A meghajtó feszültsége (max. RDS bekapcsolva, min. Rds bekapcsolva) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 197 mOhm @ 11A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs | 74nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±30V |
Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds | 1690pF @ 100V |
FET funkció | - |
Teljesítmény-disszipáció (max.) | 227W (Tc) |
Üzemi hőmérséklet | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Szerelési típus | Through Hole |
Beszállítói eszközcsomag | TO-247AC |
Csomag / eset | TO-247-3 |
Származási ország | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SIHG22N60EL-GE3 Súly | lépjen kapcsolatba velünk |
Pótalkatrész száma | SIHG22N60EL-GE3-FT |
FDA16N50LDTU
ON Semiconductor
DMN2450UFB4-7R
Diodes Incorporated
NTMFS5C645NLT1G
ON Semiconductor
DMN3730UFB4-7B
Diodes Incorporated
NTNS3A92PZT5G
ON Semiconductor
DMP22D4UFO-7B
Diodes Incorporated
FDFMA2P029Z-F106
ON Semiconductor
DMN63D1LT-7
Diodes Incorporated
DMN2004WKQ-7
Diodes Incorporated
DMT69M8LFV-7
Diodes Incorporated
A3PE600-1FG256I
Microsemi Corporation
A3P1000-2PQ208
Microsemi Corporation
ICE65L04F-LCB132C
Lattice Semiconductor Corporation
ICE40LP640-SWG16TR50
Lattice Semiconductor Corporation
A40MX02-PLG68M
Microsemi Corporation
A42MX16-2TQG176
Microsemi Corporation
LFE3-70E-6FN1156C
Lattice Semiconductor Corporation
AT40K20-2AJC
Microchip Technology
EP3CLS200F780I7
Intel
EPF6016AFC100-3N
Intel