itthon / Termékek / Diszkrét félvezető termékek / Tranzisztorok - FET-ek, MOSFET-ek - Egyetlen / SIHG039N60E-GE3
Gyártási szám | SIHG039N60E-GE3 |
---|---|
Jövőbeni cikkszám | FT-SIHG039N60E-GE3 |
SPQ / MOQ | lépjen kapcsolatba velünk |
Csomagoló anyag | Reel/Tray/Tube/Others |
sorozat | E |
SIHG039N60E-GE3 Állapot (életciklus) | Raktáron |
Részállapot | Active |
FET típus | N-Channel |
Technológia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
Aktuális - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C | 63A (Tc) |
A meghajtó feszültsége (max. RDS bekapcsolva, min. Rds bekapcsolva) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 39 mOhm @ 32A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs | 126nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±30V |
Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds | 4369pF @ 100V |
FET funkció | - |
Teljesítmény-disszipáció (max.) | 357W (Tc) |
Üzemi hőmérséklet | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Szerelési típus | Through Hole |
Beszállítói eszközcsomag | TO-247AC |
Csomag / eset | TO-247-3 |
Származási ország | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SIHG039N60E-GE3 Súly | lépjen kapcsolatba velünk |
Pótalkatrész száma | SIHG039N60E-GE3-FT |
IRFPG50PBF
Vishay Siliconix
IRFP054PBF
Vishay Siliconix
IRFP460BPBF
Vishay Siliconix
IRFP360LCPBF
Vishay Siliconix
IRFP350LCPBF
Vishay Siliconix
SIHG32N50D-GE3
Vishay Siliconix
IRFP260PBF
Vishay Siliconix
SIHG25N40D-GE3
Vishay Siliconix
SIHG21N60EF-GE3
Vishay Siliconix
SIHG47N60AE-GE3
Vishay Siliconix
EP1C6T144C6
Intel
LCMXO2-1200ZE-3TG144IR1
Lattice Semiconductor Corporation
A42MX09-FVQ100
Microsemi Corporation
EP4CE10E22C7N
Intel
XC5VLX30-1FF676I
Xilinx Inc.
AGL600V2-FG144
Microsemi Corporation
LCMXO2-7000HC-6BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP2-8E-5MN132C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXMA1D4F31I3N
Intel
EP4CE55F29C6
Intel