itthon / Termékek / Diszkrét félvezető termékek / Tranzisztorok - FET-ek, MOSFET-ek - Egyetlen / SIHF12N50C-E3
Gyártási szám | SIHF12N50C-E3 |
---|---|
Jövőbeni cikkszám | FT-SIHF12N50C-E3 |
SPQ / MOQ | lépjen kapcsolatba velünk |
Csomagoló anyag | Reel/Tray/Tube/Others |
sorozat | - |
SIHF12N50C-E3 Állapot (életciklus) | Raktáron |
Részállapot | Active |
FET típus | N-Channel |
Technológia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 500V |
Aktuális - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C | 12A (Tc) |
A meghajtó feszültsége (max. RDS bekapcsolva, min. Rds bekapcsolva) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 555 mOhm @ 4A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs | 48nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±30V |
Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds | 1375pF @ 25V |
FET funkció | - |
Teljesítmény-disszipáció (max.) | 36W (Tc) |
Üzemi hőmérséklet | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Szerelési típus | Through Hole |
Beszállítói eszközcsomag | TO-220 Full Pack |
Csomag / eset | TO-220-3 Full Pack |
Származási ország | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SIHF12N50C-E3 Súly | lépjen kapcsolatba velünk |
Pótalkatrész száma | SIHF12N50C-E3-FT |
SI3465DV-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI3467DV-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI3127DV-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI3407DV-T1-E3
Vishay Siliconix
SI3410DV-T1-E3
Vishay Siliconix
SI3424BDV-T1-E3
Vishay Siliconix
SI3424DV-T1-E3
Vishay Siliconix
SI3424DV-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI3429EDV-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI3430DV-T1-E3
Vishay Siliconix
LCMXO2-640HC-6TG100I
Lattice Semiconductor Corporation
XA3S400A-4FTG256I
Xilinx Inc.
A54SX72A-1FG484M
Microsemi Corporation
A3P250-1FG256
Microsemi Corporation
ICE40UP3K-UWG30ITR1K
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SE530H35C4N
Intel
XC4VLX40-11FFG1148I
Xilinx Inc.
A3P1000-FGG144T
Microsemi Corporation
LCMXO640E-3MN100C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S20F780C7
Intel