itthon / Termékek / Diszkrét félvezető termékek / Tranzisztorok - FET-ek, MOSFET-ek - Egyetlen / SIHD9N60E-GE3
Gyártási szám | SIHD9N60E-GE3 |
---|---|
Jövőbeni cikkszám | FT-SIHD9N60E-GE3 |
SPQ / MOQ | lépjen kapcsolatba velünk |
Csomagoló anyag | Reel/Tray/Tube/Others |
sorozat | E |
SIHD9N60E-GE3 Állapot (életciklus) | Raktáron |
Részállapot | Active |
FET típus | N-Channel |
Technológia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
Aktuális - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C | 9A (Tc) |
A meghajtó feszültsége (max. RDS bekapcsolva, min. Rds bekapcsolva) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 368 mOhm @ 4.5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 250µA |
Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs | 52nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±30V |
Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds | 778pF @ 100V |
FET funkció | - |
Teljesítmény-disszipáció (max.) | 78W (Tc) |
Üzemi hőmérséklet | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Szerelési típus | Surface Mount |
Beszállítói eszközcsomag | D-PAK (TO-252AA) |
Csomag / eset | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Származási ország | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SIHD9N60E-GE3 Súly | lépjen kapcsolatba velünk |
Pótalkatrész száma | SIHD9N60E-GE3-FT |
SQJ158EP-T1_GE3
Vishay Siliconix
SQJ401EP-T1_GE3
Vishay Siliconix
SQJ403BEEP-T1_GE3
Vishay Siliconix
SQJ409EP-T1_GE3
Vishay Siliconix
SQJ411EP-T1_GE3
Vishay Siliconix
SQJ412EP-T1_GE3
Vishay Siliconix
SQJ414EP-T1_GE3
Vishay Siliconix
SQJ416EP-T1_GE3
Vishay Siliconix
SQJ418EP-T1_GE3
Vishay Siliconix
SQJ420EP-T1_GE3
Vishay Siliconix
ICE40UL640-SWG16ITR50
Lattice Semiconductor Corporation
A54SX16P-VQ100M
Microsemi Corporation
AT40K05AL-1DQC
Microchip Technology
5SGXEA9N2F45I2N
Intel
ICE40LP640-CM36
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP2-8E-5FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO256E-3M100I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO1200E-3MN132I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SL110F780C3N
Intel
EP3SL110F780I4
Intel