itthon / Termékek / Diszkrét félvezető termékek / Tranzisztorok - FET-ek, MOSFET-ek - Egyetlen / SIHD6N80E-GE3
Gyártási szám | SIHD6N80E-GE3 |
---|---|
Jövőbeni cikkszám | FT-SIHD6N80E-GE3 |
SPQ / MOQ | lépjen kapcsolatba velünk |
Csomagoló anyag | Reel/Tray/Tube/Others |
sorozat | E |
SIHD6N80E-GE3 Állapot (életciklus) | Raktáron |
Részállapot | Active |
FET típus | N-Channel |
Technológia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 800V |
Aktuális - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C | 5.4A (Tc) |
A meghajtó feszültsége (max. RDS bekapcsolva, min. Rds bekapcsolva) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 940 mOhm @ 3A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs | 44nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±30V |
Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds | 827pF @ 100V |
FET funkció | - |
Teljesítmény-disszipáció (max.) | 78W (Tc) |
Üzemi hőmérséklet | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Szerelési típus | Surface Mount |
Beszállítói eszközcsomag | D-PAK (TO-252AA) |
Csomag / eset | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Származási ország | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SIHD6N80E-GE3 Súly | lépjen kapcsolatba velünk |
Pótalkatrész száma | SIHD6N80E-GE3-FT |
SQJ403BEEP-T1_GE3
Vishay Siliconix
SQJ409EP-T1_GE3
Vishay Siliconix
SQJ411EP-T1_GE3
Vishay Siliconix
SQJ412EP-T1_GE3
Vishay Siliconix
SQJ414EP-T1_GE3
Vishay Siliconix
SQJ416EP-T1_GE3
Vishay Siliconix
SQJ418EP-T1_GE3
Vishay Siliconix
SQJ420EP-T1_GE3
Vishay Siliconix
SQJ443EP-T1_GE3
Vishay Siliconix
SQJ444EP-T1_GE3
Vishay Siliconix
XC3S400-4TQG144C
Xilinx Inc.
XC2V1500-4FGG676I
Xilinx Inc.
APA450-BGG456
Microsemi Corporation
AGLN030V2-ZVQG100I
Microsemi Corporation
10M08SAU169A7G
Intel
5SGXEB5R3F43C3N
Intel
A42MX24-1TQG176
Microsemi Corporation
APA150-FGG144A
Microsemi Corporation
EP4SGX230DF29C3NES
Intel
EP20K1000CF33C7N
Intel