itthon / Termékek / Diszkrét félvezető termékek / Tranzisztorok - FET-ek, MOSFET-ek - Egyetlen / SIHD3N50D-E3
Gyártási szám | SIHD3N50D-E3 |
---|---|
Jövőbeni cikkszám | FT-SIHD3N50D-E3 |
SPQ / MOQ | lépjen kapcsolatba velünk |
Csomagoló anyag | Reel/Tray/Tube/Others |
sorozat | - |
SIHD3N50D-E3 Állapot (életciklus) | Raktáron |
Részállapot | Active |
FET típus | N-Channel |
Technológia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 500V |
Aktuális - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C | 3A (Tc) |
A meghajtó feszültsége (max. RDS bekapcsolva, min. Rds bekapcsolva) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.2 Ohm @ 2.5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs | 12nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±30V |
Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds | 175pF @ 100V |
FET funkció | - |
Teljesítmény-disszipáció (max.) | 69W (Tc) |
Üzemi hőmérséklet | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Szerelési típus | Surface Mount |
Beszállítói eszközcsomag | D-PAK (TO-252AA) |
Csomag / eset | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Származási ország | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SIHD3N50D-E3 Súly | lépjen kapcsolatba velünk |
Pótalkatrész száma | SIHD3N50D-E3-FT |
SQJ465EP-T1_GE3
Vishay Siliconix
SQJ469EP-T1_GE3
Vishay Siliconix
SQJ474EP-T1_GE3
Vishay Siliconix
SQJ479EP-T1_GE3
Vishay Siliconix
SQJ840EP-T1_GE3
Vishay Siliconix
SQJ868EP-T1_GE3
Vishay Siliconix
SQJA00EP-T1_GE3
Vishay Siliconix
SQJA02EP-T1_GE3
Vishay Siliconix
SQJA04EP-T1_GE3
Vishay Siliconix
SQJA06EP-T1_GE3
Vishay Siliconix
A1020B-VQG80I
Microsemi Corporation
XC6VLX75T-L1FFG484I
Xilinx Inc.
APA1000-BG456M
Microsemi Corporation
AGLN125V2-VQ100I
Microsemi Corporation
EP4CE75F23C8L
Intel
XC5VLX50-3FF676C
Xilinx Inc.
AGL060V2-CS121
Microsemi Corporation
EP20K400ERC240-1
Intel
EPF10K10QI208-4
Intel
EPF10K30AQC208-3N
Intel