itthon / Termékek / Diszkrét félvezető termékek / Tranzisztorok - FET-ek, MOSFET-ek - Egyetlen / SIHB12N60E-GE3
Gyártási szám | SIHB12N60E-GE3 |
---|---|
Jövőbeni cikkszám | FT-SIHB12N60E-GE3 |
SPQ / MOQ | lépjen kapcsolatba velünk |
Csomagoló anyag | Reel/Tray/Tube/Others |
sorozat | - |
SIHB12N60E-GE3 Állapot (életciklus) | Raktáron |
Részállapot | Active |
FET típus | N-Channel |
Technológia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
Aktuális - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C | 12A (Tc) |
A meghajtó feszültsége (max. RDS bekapcsolva, min. Rds bekapcsolva) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 380 mOhm @ 6A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs | 58nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±30V |
Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds | 937pF @ 100V |
FET funkció | - |
Teljesítmény-disszipáció (max.) | 147W (Tc) |
Üzemi hőmérséklet | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Szerelési típus | Surface Mount |
Beszállítói eszközcsomag | D2PAK |
Csomag / eset | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Származási ország | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SIHB12N60E-GE3 Súly | lépjen kapcsolatba velünk |
Pótalkatrész száma | SIHB12N60E-GE3-FT |
IRLR120TRR
Vishay Siliconix
IRLR8103TRL
Vishay Siliconix
IRLR8103TRR
Vishay Siliconix
SIHD180N60E-GE3
Vishay Siliconix
SIHF065N60E-GE3
Vishay Siliconix
SIHF15N60E-E3
Vishay Siliconix
SIHF28N60EF-GE3
Vishay Siliconix
SIHF10N40D-E3
Vishay Siliconix
SIHF8N50D-E3
Vishay Siliconix
SIHF18N50D-E3
Vishay Siliconix
A3P030-2QNG68I
Microsemi Corporation
A1425A-1PQ100I
Microsemi Corporation
XC4052XL-09HQ304C
Xilinx Inc.
A3P125-2PQ208I
Microsemi Corporation
A3P250L-VQG100I
Microsemi Corporation
EP3CLS100F484C7
Intel
EP2AGX125DF25C4N
Intel
EP2AGX65DF25C5
Intel
5CEBA5U19C8N
Intel
EP1C20F324I7N
Intel