itthon / Termékek / Diszkrét félvezető termékek / Tranzisztorok - FET-ek, MOSFET-ek - Egyetlen / SIHA2N80E-GE3
Gyártási szám | SIHA2N80E-GE3 |
---|---|
Jövőbeni cikkszám | FT-SIHA2N80E-GE3 |
SPQ / MOQ | lépjen kapcsolatba velünk |
Csomagoló anyag | Reel/Tray/Tube/Others |
sorozat | E |
SIHA2N80E-GE3 Állapot (életciklus) | Raktáron |
Részállapot | Active |
FET típus | N-Channel |
Technológia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 800V |
Aktuális - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C | 2.8A (Tc) |
A meghajtó feszültsége (max. RDS bekapcsolva, min. Rds bekapcsolva) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.75 Ohm @ 1A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs | 19.6nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±30V |
Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds | 315pF @ 100V |
FET funkció | - |
Teljesítmény-disszipáció (max.) | 29W (Tc) |
Üzemi hőmérséklet | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Szerelési típus | Through Hole |
Beszállítói eszközcsomag | TO-220 Full Pack |
Csomag / eset | TO-220-3 Full Pack |
Származási ország | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SIHA2N80E-GE3 Súly | lépjen kapcsolatba velünk |
Pótalkatrész száma | SIHA2N80E-GE3-FT |
SI8457DB-T1-E1
Vishay Siliconix
SI8481DB-T1-E1
Vishay Siliconix
SIHU4N80E-GE3
Vishay Siliconix
SIHU6N80E-GE3
Vishay Siliconix
SIHU6N65E-GE3
Vishay Siliconix
SISH110DN-T1-GE3
Vishay Siliconix
SISH112DN-T1-GE3
Vishay Siliconix
SISH116DN-T1-GE3
Vishay Siliconix
SISH615ADN-T1-GE3
Vishay Siliconix
SISH108DN-T1-GE3
Vishay Siliconix
XA6SLX45-3FGG484Q
Xilinx Inc.
A42MX36-2BGG272I
Microsemi Corporation
M2GL090-FGG484
Microsemi Corporation
MPF300T-1FCG1152E
Microsemi Corporation
LCMXO1200E-4FT256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SL200F1517C2N
Intel
5SGXMA3K2F35I3N
Intel
XC5VSX50T-1FFG665C
Xilinx Inc.
LFE3-95E-7FN1156C
Lattice Semiconductor Corporation
MPM7128SQC100AC
Intel