itthon / Termékek / Diszkrét félvezető termékek / Tranzisztorok - FET-ek, MOSFET-ek - Egyetlen / SIE808DF-T1-GE3
Gyártási szám | SIE808DF-T1-GE3 |
---|---|
Jövőbeni cikkszám | FT-SIE808DF-T1-GE3 |
SPQ / MOQ | lépjen kapcsolatba velünk |
Csomagoló anyag | Reel/Tray/Tube/Others |
sorozat | TrenchFET® |
SIE808DF-T1-GE3 Állapot (életciklus) | Raktáron |
Részállapot | Active |
FET típus | N-Channel |
Technológia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
Aktuális - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C | 60A (Tc) |
A meghajtó feszültsége (max. RDS bekapcsolva, min. Rds bekapcsolva) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.6 mOhm @ 25A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs | 155nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds | 8800pF @ 10V |
FET funkció | - |
Teljesítmény-disszipáció (max.) | 5.2W (Ta), 125W (Tc) |
Üzemi hőmérséklet | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Szerelési típus | Surface Mount |
Beszállítói eszközcsomag | 10-PolarPAK® (L) |
Csomag / eset | 10-PolarPAK® (L) |
Származási ország | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SIE808DF-T1-GE3 Súly | lépjen kapcsolatba velünk |
Pótalkatrész száma | SIE808DF-T1-GE3-FT |
SQV120N10-3M8_GE3
Vishay Siliconix
ZXMP2120FFTA
Diodes Incorporated
ZXMN0545FFTA
Diodes Incorporated
SIA817EDJ-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIA813DJ-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIA810DJ-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIA810DJ-T1-E3
Vishay Siliconix
SIA811ADJ-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIA811DJ-T1-E3
Vishay Siliconix
SIA811DJ-T1-GE3
Vishay Siliconix
A3P1000L-FG484
Microsemi Corporation
M1A3P600L-FGG484
Microsemi Corporation
A54SX32A-CQ256B
Microsemi Corporation
5SEEBF45C3N
Intel
5SGXEABN2F45I2N
Intel
XC6SLX45-N3CSG324C
Xilinx Inc.
XC6SLX45T-N3CSG324C
Xilinx Inc.
LFE2M20SE-7F484C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090N4F40I3LG
Intel
EP2C20Q240C8N
Intel